一种基于LCP铜箔复合结构、制备工艺以及剥离强度测试方法技术

本发明专利技术涉及LCP铜箔结构技术领域，具体涉及一种基于LCP铜箔复合结构、制备工艺以及剥离强度测试方法，该LCP‑铜箔复合结构，其界面粘结层中多孔纳米填料的分散均匀性≤200nm，且含氟基团浓度梯度分布范围覆盖界面厚度的80%以上。本发明专利技术的目的在于提供一种基于LCP铜箔复合结构、制备工艺以及剥离强度测试方法，能够实现LCP铜箔复合结构的剥离强度以及介电常数的优化，突破LCP‑铜箔界面粘结强度与高频损耗的矛盾限制，为5G/6G通信设备提供高可靠性基板材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及lcp铜箔结构，具体涉及一种基于lcp铜箔复合结构、制备工艺以及剥离强度测试方法。

技术介绍

1、目前的液晶聚合物（lcp）薄膜因其超低介电常数和介电损耗，成为5g毫米波天线、高频通信基板的核心材料。然而，lcp与铜箔界面结合存在以下问题：

2、热应力失配：lcp线膨胀系数与铜箔差异导致热压后界面分层；

3、介电损耗升高：传统粘结层含极性基团，增加高频信号传输损耗；

4、工艺控制不足：静态热压参数无法匹配聚酰亚胺前驱体固化动力学，产生气泡或欠固化。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种基于lcp铜箔复合结构、制备工艺以及剥离强度测试方法，能够实现lcp铜箔复合结构的剥离强度以及介电常数的优化，突破lcp-铜箔界面粘结强度与高频损耗的矛盾限制，为5g/6g通信设备提供高可靠性基板材料。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、第一方面，本专利技术了公开了一种基于lcp铜箔复合结构的制备工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于LCP铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于LCP铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤A100中，多孔纳米填料为多孔纳米粒子，其表面经硅烷偶联剂预处理并接枝含氟单体，孔道内负载氟化基团；所述多孔纳米填料的添加量为聚酰胺酸溶液质量的1%~3%。

3.根据权利要求1所述的一种基于LCP铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤A100中，含氟单体为四氟乙烯基丙烯酸酯或全氟烷基丙烯酸酯，其添加的质量比为聚酰胺酸溶液质量的5%~15%。

4.根据权利要求1所述的一种基于LCP铜箔复合结构的制备工艺...

【技术特征摘要】

1.一种基于lcp铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于lcp铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤a100中，多孔纳米填料为多孔纳米粒子，其表面经硅烷偶联剂预处理并接枝含氟单体，孔道内负载氟化基团；所述多孔纳米填料的添加量为聚酰胺酸溶液质量的1%~3%。

3.根据权利要求1所述的一种基于lcp铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤a100中，含氟单体为四氟乙烯基丙烯酸酯或全氟烷基丙烯酸酯，其添加的质量比为聚酰胺酸溶液质量的5%~15%。

4.根据权利要求1所述的一种基于lcp铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤a200中，旋转涂覆的离心力为2000~5000rpm，涂覆厚度为5~20μm；所述浓度梯度分布通过调节离心力大小与涂覆时间实现，其中lcp侧含氟基团浓度梯度递减速率为0.5%~1.5%/μm，铜箔侧递增速率为1%~2%/μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于lcp铜箔复合结构的制备工艺，其特征在于，在步骤a300中，uv预固化的条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣新，曾祖怡，周文雅，曾敏毓，
申请(专利权)人：东莞市龙谊电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：