一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱制造技术

本技术公开了一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，涉及晶圆测试技术领域，包括老化测试组件，所述老化测试组件包括老化箱本体，所述老化箱本体的内部开设有放置腔，所述老化箱本体的背表面镶嵌安装有半导体制冷器，所述老化箱本体的内部且位于放置腔的内腔分别固定安装有电磁铁和电加热板。本技术的有益效果为通过设置晶圆承载组件，具有旋转均化的优点，能够在减速电机驱动下，使得多个活动架同步转动，以使得侧挡板之间的晶圆圆周转动，同时可控制电磁铁得电，在磁环配合下，使得位移环灵活上下位移，进而可使得多个晶圆放置倾角改变，在高温测试时，晶圆受热均匀性更佳，更符合实际测试需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆测试领域，尤其是一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱。

技术介绍

1、晶圆老化箱是一种专门用于半导体晶圆进行加速老化测试的设备，它能够在模拟的恶劣环境中对晶圆进行测试，以评估其在长期使用条件下的性能和可靠性，广泛应用于半导体制造行业，尤其是在新产品开发、质量控制和材料改进等方面发挥着重要作用。

2、基础的晶圆老化箱不具备旋转测试的功能，针对高温老化环境下测试时，晶圆受热均匀性一般，影响整体测试均匀性，存在一定的限制性。

3、综上，提出一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱来解决上述问题。

技术实现思路

1、本部分的目的在于概述本技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例，在本部分以及本申请的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。

2、鉴于上述和/或现有技术中所存在的问题，提出了本技术。

3、因此，本技术所要解决的技术问题是基础的晶圆老化箱不具备旋转测试的功本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：包括，

2.根据权利要求1所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述半导体制冷器(101b)的制冷端位于放置腔(101a)的内腔，所述半导体制冷器(101b)的散热端位于老化箱本体(101)的后侧，所述固定架(201d)与活动架(202e)的数量一致。

3.根据权利要求2所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述旋转盘(101e)顶部的中心处固定连接有定位矩块(101e-1)，位于上方的辅助盘(201b)的中心处开设有空槽(201b-1)。

4.根据权利要求3所述的基于半导体冷...

【技术特征摘要】

1.一种基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：包括，

2.根据权利要求1所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述半导体制冷器(101b)的制冷端位于放置腔(101a)的内腔，所述半导体制冷器(101b)的散热端位于老化箱本体(101)的后侧，所述固定架(201d)与活动架(202e)的数量一致。

3.根据权利要求2所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述旋转盘(101e)顶部的中心处固定连接有定位矩块(101e-1)，位于上方的辅助盘(201b)的中心处开设有空槽(201b-1)。

4.根据权利要求3所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述固定架(201d)的表面贯穿开设有引导槽(201d-1)，所述活动架(202e)的表面固定连接有凸块(202e-1)，所述凸块(202e-1)的外径大于引导槽(201d-1)的内径。

5.根据权利要求4所述的基于半导体冷却方式的晶圆老化箱，其特征在于：所述活动架(202e)的表面与引导槽(201d-1)的连接处滑动接触，所述活动架(202e)的内壁活动安装有活动杆(202c)。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张育嘉，
申请(专利权)人：苏州鑫达半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：