一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统及方法，涉及半导体技术领域。本发明专利技术包括：照明光源组件，用于提供激光束；扩束整形组件，扩束整形组件用于对照明光源组件提供的激光束进行扩束与整形，得到方形条状光斑照射到晶圆表面；螺旋运动控制组件，设置在晶圆下方，用于控制晶圆移动，实现对晶圆的螺旋线扫描。本发明专利技术对基于螺旋扫描线的晶圆检测系统内圈扫描流程进行了优化，对条形扫描光斑的光强与尺寸进行实时调整，对延时积分相机的行频进行同步实时调整，从而实现整个扫描流程的连续性，且在成像过程中晶圆上单位像素单位时间内所获得的照明激光能量保持一致，方便后续进行图像处理与识别。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体为一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统及方法。

技术介绍

1、半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统是利用探测散射光来进行晶圆表面的缺陷检测。在整个晶圆检测过程中，需要对整个晶圆表面进行扫描，从而得到整个晶圆表面的缺陷信息，目前主流的扫描方案有两种，一种是在xy坐标系下，进行s型路线的扫描方案，另一种是在r、θ坐标系下进行螺旋线扫描方案。本专利技术所讨论内容，是针对第二种，螺旋线扫描方案进行。

2、在螺旋线扫描的过程中，常使用延时积分相机（tdi）进行成像，捕获到图像后，对图像进行进一步判断，从而获取到相应的缺陷。但在螺旋线扫描过程中，如果保持一个确定转速扫描时，随着扫描半径的减小，线速度会降低，这样的话，如果tdi的采样频率不变的情况下，会出现与速度不匹配的情况，导致图像采集出现问题，为此，本专利技术提出一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统及方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统及方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，应用于晶圆缺陷检测，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述光源本体设置为UV光源、DUV光源或EUV光源。

3.根据权利要求2所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述扩束整形组件与照明光源组件之间设置有半波片，扩束整形组件沿光束传播方向依次包括扩束镜、准直镜、微透镜阵列、聚焦镜，照明光源发出的平行光束，经过扩束镜模发散，并经过准直镜后重新准直为直径更大的平行光源，然后平行光入射至微透镜阵列，形成方形条状光斑，光斑最后经过聚焦镜组聚焦后入射至晶圆...

【技术特征摘要】

1.一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，应用于晶圆缺陷检测，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述光源本体设置为uv光源、duv光源或euv光源。

3.根据权利要求2所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述扩束整形组件与照明光源组件之间设置有半波片，扩束整形组件沿光束传播方向依次包括扩束镜、准直镜、微透镜阵列、聚焦镜，照明光源发出的平行光束，经过扩束镜模发散，并经过准直镜后重新准直为直径更大的平行光源，然后平行光入射至微透镜阵列，形成方形条状光斑，光斑最后经过聚焦镜组聚焦后入射至晶圆表面。

4.根据权利要求3所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述反射光收集组件设置为收集器，收集器包括衰减od片与能量探测器pd，用于对反射光能量进行收集与分析，确保在成像过程中晶圆上单位像素单位时间内所获得的照明激光能量保持一致。

5.根据权利要求4所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述散射光线收集组件包括设置在晶圆上方的物镜，且沿着光线传输方向还依次同轴设置有第一中继镜、第一分光镜、第二分光镜及反射镜。

6.根据权利要求5所述的一种半导体无图形晶圆暗场缺陷检测系统，其特征在于：所述收集通道设置为三个，分别为第一通道、第二通道及第三通道，来自第一中继镜的光源经过第一分光镜后分割为两束光，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦巍，朱俊，梁昊，
申请(专利权)人：合肥市纳诺半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：