【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光刻胶，具体涉及一种正性光刻胶组合物及其应用。
技术介绍
1、高分子化合物是最早被应用为正性光刻胶的材料，其实现正性光刻的机理主要为曝光后光敏基团变化或主链断裂导致的溶解性转变。但高分子化合物的分子量高、分子尺寸大、对极紫外区光吸收弱，使其不再适用于最先进的极紫外(euv)光刻工艺中对于分辨率和灵敏度的需求。因此，急需开发新型光刻胶材料。
2、金属氧簇凭借分子结构简单明确、粒径尺寸均一、配体修饰可调、高抗刻蚀性和对极紫外波段下吸光性强等优点被大量用于euv光刻的研究中。其用于光刻的金属氧簇已经开发出了基于钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、锌(zn)、锡(sn)、锑(sb)等元素的金属氧簇型光刻胶，所报道的以上光刻胶均可实现50nm以上的极限分辨率和低于500uc/cm2(用于验证euv光刻性能的电子束曝光剂量)的高灵敏光刻。
3、然而，金属氧簇型光刻胶在光刻过程中大多发生基于配体丢失的自由基交联反应，使其表现为曝光区难溶于显影液的负性光刻性质，并不适配于当前用于集成电路的euv光刻工艺逻辑，这使得...
【技术保护点】
1.一种正性光刻胶组合物，其特征是：该光刻胶组合物包括一种聚硫醚高分子化合物以及光刻胶溶剂；
2.一种权利要求1所述的聚硫醚高分子化合物的合成方法，其特征是：包括以下步骤：将9摩尔份数的多核锑单元、7.0～9.0摩尔份数的二元硫醇、1.0～0摩尔份数的多元硫醇、光引发剂、在溶剂和空气氛围中混合均匀，室温下经紫外光引发的硫醇烯点击反应进行聚合，反应后将溶剂旋蒸干净后得到所述聚硫醚高分子化合物；将所述多核锑单元、所述二元硫醇和所述多元硫醇的总用量计为单体总量；其中，所述光引发剂的用量为所述单体总量的0.1～5.0wt％。
3.根据权利要求2所述的聚...
【技术特征摘要】
1.一种正性光刻胶组合物，其特征是：该光刻胶组合物包括一种聚硫醚高分子化合物以及光刻胶溶剂；
2.一种权利要求1所述的聚硫醚高分子化合物的合成方法，其特征是：包括以下步骤：将9摩尔份数的多核锑单元、7.0～9.0摩尔份数的二元硫醇、1.0～0摩尔份数的多元硫醇、光引发剂、在溶剂和空气氛围中混合均匀，室温下经紫外光引发的硫醇烯点击反应进行聚合，反应后将溶剂旋蒸干净后得到所述聚硫醚高分子化合物；将所述多核锑单元、所述二元硫醇和所述多元硫醇的总用量计为单体总量；其中，所述光引发剂的用量为所述单体总量的0.1～5.0wt％。
3.根据权利要求2所述的聚硫醚高分子化合物的合成方法，其特征是：所述多核锑单元的分子通式为(ph3sb)2(μ2-o)(l)2，其中l选自同时具有碳碳双键和羧基的有机配体,包括甲基丙烯酸、丙烯酸、丁烯酸、对乙烯基苯甲酸中的一种。
4.根据权利要求2所述的聚硫醚高分子化合物的合成方法，其特征是：所述二元硫醇选自2,3-二巯基丁二醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、苯-1,4-二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、双巯基乙酸乙二醇酯、1,10-癸二硫醇、...
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