一种集成电路及电子设备制造技术

本申请实施例提供一种集成电路及电子设备，涉及电子技术领域，用于采用低压器件实现ESD保护电路，并提高ESD保护电路中每个器件的可靠性。该集成电路包括：电源线、地线、至少一个ESD保护电路和被保护器件，该被保护器件设置在该电源线与该地线之间；该ESD保护电路包括：耦合在该电源线与该地线之间且串联的多个偏置电路，耦合在该电源线与该地线之间且串联的多个触发电路，耦合在该电源线与该地线之间且串联的多个MOS晶体管，耦合在该电源线与该地线之间的ESD器件；其中，该多个偏置电路的输出端分别与该多个触发电路中每个触发电路的一个输入端耦合，该多个触发电路的输出端分别与该多个MOS晶体管的控制端耦合。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子，尤其涉及一种集成电路及电子设备。

技术介绍

1、集成电路(integrated circuit，ic)也称为芯片(chip)，芯片在制造、运输、封装和测试过程中会引入静电，静电放电(electrostatic discharge，esd)会导致芯片中的内部器件损坏，所以需要在芯片中设计用于泄放esd电流的esd保护电路，使得芯片发生esd时的esd电流能够通过该esd保护电路泄放，从而保护芯片中的内部器件。

2、现有技术中通常是采用金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，mos)晶体管来实现该esd保护电路。但是，随着半导体工艺的演进，mos晶体管已逐渐从高压(比如，5v或者3.3v等)器件演进为低压(比如，1.8v、1.2v或者0.6v等)器件，而外部电源模块提供的电压通常为5v或者3.3v等高压。因此，如何利用低压器件实现集成电路的esd保护电路是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种集成电路及电子设备，用于采用低压器件实现集成电路的es本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：电源线、地线、至少一个静电放电ESD保护电路、以及被保护器件，所述被保护器件设置在所述电源线与所述地线之间；其中，

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述多个触发电路中每个触发电路，包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述检测电路包括第一电阻和电容，所述驱动电路包括反相器，所述第一电阻的第一端耦合于第一节点，所述第一电阻的第二端、所述电容的第一端和所述反相器的输入端相耦合，所述电容的第二端耦合于第二节点，所述第一节点和所述第二节点为所述触发电路的两个输入端，所述反相器的输出端为所述触发电...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：电源线、地线、至少一个静电放电esd保护电路、以及被保护器件，所述被保护器件设置在所述电源线与所述地线之间；其中，

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述多个触发电路中每个触发电路，包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述检测电路包括第一电阻和电容，所述驱动电路包括反相器，所述第一电阻的第一端耦合于第一节点，所述第一电阻的第二端、所述电容的第一端和所述反相器的输入端相耦合，所述电容的第二端耦合于第二节点，所述第一节点和所述第二节点为所述触发电路的两个输入端，所述反相器的输出端为所述触发电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述多个触发电路中的第n个触发电路的所述反相器的第一电压端与所述电源线耦合，第1个触发电路的所述反相器的第二电压端与所述地线耦合，第i-1个触发电路的所述反相器的第一电压端与第i个触发电路的所述反相器的第二电压端耦合，n为所述多个触发电路的数量，i的取值范围为2至n。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述多个触发电路中的第n个触发电路的所述反相器的第一电压端与所述电源线耦合，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明亮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：