一种纳米多层结构Cu/中熵合金薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种纳米多层结构Cu/中熵合金薄膜及其制备方法和应用，属于材料技术领域。所述Cu/中熵合金纳米多层薄膜由两种不同成分的晶体‑中熵合金固溶体或晶体‑非晶周期交替叠加形成，其中为Cu层为金属层，中熵合金为则呈现固溶体或非晶结构。其制备方法为周期交替溅射中熵合金靶与纯Cu靶在基底上沉积获得Cu/中熵合金纳米结构多层膜，沉积时以一定转速转动样品台以保证基底上不同位置薄膜成分和厚度相对均匀。本发明专利技术所设计和制备的Cu/中熵合金薄膜，具有良好的导电性与力学综合性能，其在半导体领域中Cu导电层与微电子机械系统(MEMS)的微小膜基器件等领域有着良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米多层结构cu/中熵合金薄膜及其制备方法和应用，属于材料。

技术介绍

1、随着半导体与微机电系统行业的不断向前发展，cu薄膜作为半导体导电层和微型传感器的重要组成部分，在汽车与航空工业、能源、物联网、环境监测等相关领域具有广阔的应用前景，其装置结构和功能变得越来越复杂。cu基薄膜具有良好的导电性，然而力学性能则相对较差，严重制约了纳米cu基薄膜在其在半导体领域中cu导电层与微电子机械系统(mems)的微小膜基器件等领域等环境下的应用范围。

2、针对纯cu薄膜力学性能较差的问题，最常用的改善途径是在cu基薄膜中加入如cocrni等中熵合金，则显著抑制了cu基薄膜晶粒长大。中熵合金其所具有优异的力学性能则能够显著提高cu基薄膜的硬度。然而，cu基薄膜在达到一定厚度后，可引起薄膜内部应力水平的升高，造成薄膜出现孔洞、剥落等现象，从而限制了该体系cu基薄膜在高温下的实际应用价值。

3、金属纳米多层膜是由两种或多种金属相互交替构成，因单层厚度在纳米量级，可有效降低由于cu基薄膜因厚度增加所造成的较高的内应力。其中中熵合金复本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米多层结构Cu/中熵合金薄膜，其特征在于：所述Cu/中熵合金纳米多层薄膜由面心立方FCC晶体-中熵合金固溶体或面心立方FCC晶体-非晶周期交替叠加形成，其中，中熵合金层呈固溶体或非晶相结构，Cu层呈现FCC面心立方固溶体结构；所述Cu/中熵合金纳米多层薄膜由两种不同成分的晶体-中熵合金固溶体或晶体-非晶周期交替叠加形成，其中为Cu层为金属层，CoCrNi中熵合金为则呈现固溶体或非晶结构。

2.根据权利要求1所述的一种纳米多层结构Cu/中熵合金薄膜，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的所述一种纳米多层结构Cu/中熵合金薄膜，其特征在于：

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【技术特征摘要】

1.一种纳米多层结构cu/中熵合金薄膜，其特征在于：所述cu/中熵合金纳米多层薄膜由面心立方fcc晶体-中熵合金固溶体或面心立方fcc晶体-非晶周期交替叠加形成，其中，中熵合金层呈固溶体或非晶相结构，cu层呈现fcc面心立方固溶体结构；所述cu/中熵合金纳米多层薄膜由两种不同成分的晶体-中熵合金固溶体或晶体-非晶周期交替叠加形成，其中为cu层为金属层，cocrni中熵合金为则呈现固溶体或非晶结构。

2.根据权利要求1所述的一种纳米多层结构cu/中熵合金薄膜，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的所述一种纳米多层结构cu/中熵合金薄膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳思亦，刘一凡，牛赛，牛珊珊，张超，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：