【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其是涉及一种功率半导体模块的封装结构。
技术介绍
1、功率半导体模块的封装结构或称半导体封装模块(semiconductor packagingmodule)，是将制造完成的裸芯片(die)通过特定的技术和工艺封装成一个完整的电子组件，以便于安装、保护和实现电气连接。封装不仅提供了物理保护，还增强了散热性能，并且实现了芯片与外部电路之间的可靠互连。
2、现有技术中，具有包括整流电路的功率半导体模块的封装结构，然而，该封装结构的整体通流能力不高。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本申请提供一种功率半导体模块的封装结构，能够解决现有封装结构的整体通流能力不高的问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种功率半导体模块的封装结构，包括：
3、基板；
4、整流电路，设置于所述基板上，且所述整流电路包括第一相桥、第二相桥以及第三相桥；其中，所述第一相桥、所述第二相桥以及所述第三相桥中均包括四个位置器件，每个所...
【技术保护点】
1.一种功率半导体模块的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，每个所述位置器件包括两个并联设置的半导体芯片。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，每个所述半导体芯片均为碳化硅半导体芯片。
4.根据权利要求1-3任一项所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，所述第一相桥、所述第二相桥以及所述第三相桥均包括电气绝缘设置的多个导电区域；多个所述导电区域包括DC+导电区域、AC导电区域、M导电区域、DC-导电区域、栅极驱动导电区域、辅助源极导电区域以及功率源
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，每个所述位置器件包括两个并联设置的半导体芯片。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，每个所述半导体芯片均为碳化硅半导体芯片。
4.根据权利要求1-3任一项所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，所述第一相桥、所述第二相桥以及所述第三相桥均包括电气绝缘设置的多个导电区域；多个所述导电区域包括dc+导电区域、ac导电区域、m导电区域、dc-导电区域、栅极驱动导电区域、辅助源极导电区域以及功率源极导电区域；
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块的封装结构，其特征在于，所述栅极驱动导电区域包括第一子栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛锦进，黄志召，李宇雄，刘盼，王健，张威，
申请(专利权)人：武汉羿变电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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