【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及洁净室设计领域,具体来讲涉及的是一种室内温度精度要求极高的洁净室设计过程中,其缓冲区宽度的确定方法。
技术介绍
1、随着我国综合国力的不断提升和科技水平的飞速进步,智能化、信息化已成为当今社会的发展趋势。在这一背景下,半导体行业作为现代工业的基石,其重要性日益凸显。半导体生产主要包括设计、制造和封测三大流程。由于半导体产品的精细度极高,任何微小的尘埃或污染物都可能导致产品缺陷,进而影响最终产品的性能和可靠性。此外,温度的微小波动也可能对制造过程产生显著影响,导致材料性质变化或设备精度下降。因此,在制造和封测环节中,对生产环境的要求极为严格,需要确保高度的洁净度、稳定的温湿度控制以及严格的防尘防污染措施。
2、《洁净厂房设计规范》gb 50073-2013中规定:生产工艺有温湿度要求的洁净室,其室内温湿度应按生产工艺要求确定。《机械工业厂房建筑设计规范》gb50681-2011中规定:室温允许波动为-0.1℃~0.2℃的空气调节区,宜布置在底层,不应有外墙和屋顶,其周围宜设置室温允许波动为±1.0℃的空气调节区或
...【技术保护点】
1.一种高精度温控洁净室缓冲区宽度的计算方法,其特征在于;包括如下操作;
2.根据权利要求1所述一种高精度温控洁净室缓冲区宽度的计算方法,其特征在于;步骤1的具体操作是:
3.根据权利要求1所述一种高精度温控洁净室缓冲区宽度的计算方法,其特征在于;步骤3的具体操作是:
【技术特征摘要】
1.一种高精度温控洁净室缓冲区宽度的计算方法,其特征在于;包括如下操作;
2.根据权利要求1所述一种高精度温控洁净室缓冲区宽度的计算方...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈静霞,孙甄淇,姜言涛,张弘泽,
申请(专利权)人:信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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