炉管的工艺方法技术

本发明专利技术提供一种炉管的工艺方法，包括：提供多个产品晶圆；将所述多个所述产品晶圆放入炉管的反应腔，在所述产品晶圆的表面形成膜层，相邻所述产品晶圆之间预留间隙槽；获取多个所述产品晶圆表面的所述膜层的厚度；根据各所述产品晶圆表面的所述膜层厚度，在与该所述产品晶圆相邻的所述间隙槽内放入对应的调节晶圆，所述调节晶圆的表面具有多个沟槽，且所述调节晶圆的表面积与对应的所述产品晶圆表面的膜层厚度呈正比，优化炉管腔体内不同位置产品晶圆表面的膜层生长速度，消除炉管负载效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种炉管的工艺方法。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的表面沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(low pressure chemicalvapor deposition，lpcvd)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。在低压化学气相沉积工艺中，当前采用的主流设备是立式炉管。利用立式炉管对晶圆表面沉积薄膜的工艺一般为：在晶舟上载入晶圆；将装载了晶圆的晶舟升入炉管内，并通过反应气体管路供应反应气体，反应气体在晶圆表面进行沉积形成薄膜。

2、在传统的工艺制程中，晶圆加工主要以平面加工为主，晶圆的负载差异主要来源于不同产品透光率或图形的疏密程度，以及在炉管中的位置；然而进入2.5d、3d立体结构制程后，由于图形向纵深方向发展，要沉积薄膜的表面积，比现有成熟工艺增大了几十到数百倍之多，不同晶圆，炉管中不同位置的负载差异变得越来越大，膜层沉积厚度差异大，会严重影响器件性能。

3、所以如何调节炉管腔体内不同位置的膜层生长速度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种炉管的工艺方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的深度与所述膜层的厚度呈正比关系。

3.如权利要求2所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的深度范围为0.5um～40um。

4.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的器件密度与所述膜层的厚度呈正比关系。

5.如权利要求4所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的器件密度为3％～40％。

6.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述调节晶圆的形成方法包括：提供晶圆；清洗所述晶圆；在清洗后的所述晶...

【技术特征摘要】

1.一种炉管的工艺方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的深度与所述膜层的厚度呈正比关系。

3.如权利要求2所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的深度范围为0.5um～40um。

4.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的器件密度与所述膜层的厚度呈正比关系。

5.如权利要求4所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述沟槽的器件密度为3％～40％。

6.如权利要求1所述的炉管的工艺方法，其特征在于，所述调节晶圆的形成方法包括：提供晶圆；清洗所述晶圆；在清洗后的所述晶圆的表面形成氧化物膜层；在所述氧化物膜层的表面形成图形化层；以所述图形化层掩膜刻蚀所述氧化物膜层和部分厚度的所述晶圆，在所述晶圆内形成沟槽；去除所述图形化层和所述氧化物膜层，形成所述调节晶圆。

7.如权利要求6所述的炉管的工艺方法，其特征在于，还包括：在将所述调节晶圆放入所述间隙槽内...

【专利技术属性】
技术研发人员：于文忠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：