分栅快闪存储器及其形成方法技术

一种分栅快闪存储器及其形成方法，其中存储器包括：衬底；位于衬底内的第一浮栅结构和第二浮栅结构；位于衬底上的第一擦除栅结构和第二擦除栅结构；位于第一擦除栅结构侧壁的第一侧墙、以及位于第二擦除栅结构侧壁的第二侧墙。第一侧墙和第二侧墙分别对第一擦除栅结构和第二擦除栅结构的包覆厚度均匀，能够降低热处理过程中造成擦除栅结构的氧化断路。第一浮栅结构能够对第一漏极掺杂层和源极掺杂层之间的扩散进行阻挡，第二浮栅结构能够对第二漏极掺杂层和源极掺杂层之间的扩散进行阻挡，进而有效防止第一漏极掺杂层和源极掺杂层之间、第二漏极掺杂层和源极掺杂层之间因离子扩散而发生短接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种分栅快闪存储器及其形成方法。

技术介绍

1、快闪存储器为一种非易失性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。如今快闪存储器己经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。其中，快闪存储器主要分为为分栅结构和叠栅结构。相比叠栅快闪存储器，分栅快闪存储器编程效率较高，且擦除栅的结构可以避免"过擦除。故目前分栅快闪存储器被广泛应用于手机，笔记本，掌上电脑和u盘等移动和通讯设备中。

2、然而，现有技术中的分栅快闪存储器仍存在诸多问题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是提供一种分栅快闪存储器及其形成方法，以提升存储器的性能和可靠性。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种分栅快闪存储器，包括：衬底，所述衬底内具有相互分立的第一浮栅沟槽和第二浮栅沟槽；位于所述第一浮栅沟槽内的第一浮栅结构、以及位于所述第二浮栅沟槽内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一浮栅结构包括：第一中间部、以及位于所述第一中间部两侧的第一边缘部；所述第一擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第一中间部朝向所述衬底的投影重合；所述第二浮栅结构包括：第二中间部、以及位于所述第二中间部两侧的第二边缘部；所述第二擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第二中间部朝向所述衬底的投影重合。

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一侧墙朝向所述衬底的投影与所述第一边缘部朝向所述衬底的投影具有重叠区域；所述第二侧墙朝向所述衬底的投影与所述第二边缘部...

【技术特征摘要】

1.一种分栅快闪存储器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一浮栅结构包括：第一中间部、以及位于所述第一中间部两侧的第一边缘部；所述第一擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第一中间部朝向所述衬底的投影重合；所述第二浮栅结构包括：第二中间部、以及位于所述第二中间部两侧的第二边缘部；所述第二擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第二中间部朝向所述衬底的投影重合。

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一侧墙朝向所述衬底的投影与所述第一边缘部朝向所述衬底的投影具有重叠区域；所述第二侧墙朝向所述衬底的投影与所述第二边缘部朝向所述衬底的投影具有重叠区域。

4.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一浮栅结构包括：位于所述第一浮栅沟槽表面的第一耦合氧化层、以及位于所述第一耦合氧化层上的第一浮栅层，所述第一浮栅层填充满所述第一浮栅沟槽；所述第二浮栅结构包括：位于所述第二浮栅沟槽表面的第二耦合氧化层、以及位于所述第二耦合氧化层上的第二浮栅层，所述第二浮栅层填充满所述第二浮栅沟槽。

5.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一擦除栅结构包括：第一隧穿氧化层、以及位于所述第一隧穿氧化层上的第一擦除栅层；所述第二擦除栅结构包括：第二隧穿氧化层、以及位于所述第二隧穿氧化层上的第二擦除栅层。

6.如权利要求5所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一隧穿氧化层采用氧化硅；所述第一隧穿氧化层采用氧化硅。

7.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一字线结构包括：位于所述第一侧墙侧壁和所述衬底表面的第一字线氧化层、以及位于所述第一字线氧化层上的第一字线层；所述第二字线结构包括：位于所述第二侧墙侧壁和所述衬底表面的第二字线氧化层、以及位于所述第二字线氧化层上的第二字线层。

8.如权利要求1所述的分栅快闪存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一擦除栅结构上的第一覆盖层、以及位于所述第二擦除栅结构上的第二覆盖层。

9.如权利要求8所述的分栅快闪存储器，其特征在于，所述第一覆盖层的材料采用氮化硅；所述第二覆盖层的材料采用氮化硅。

10.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一浮栅结构包括：第一中间部、以及位于所述第一中间部两侧的第一边缘部；所述第一擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第一中间部朝向所述衬底的投影重合；所述第二浮栅结构包括：第二中间部、以及位于所述第二中间部两侧的第二边缘部；所述第二擦除栅结构朝向所述衬底的投影与所述第二中间部朝向所述衬底的投影重合。

12.如权利要求11所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙朝向所述衬底的投影与所述第一边缘部朝向所述衬底的投影具有重叠区域；所述第二侧墙朝向所述衬底的投影与所述第二边缘部朝向所述衬底的投影具有重叠区域。

13.如权利要求10所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一浮栅结构包括：位于所述第一浮栅沟槽表面的第一耦合氧化层、以及位于所述第一耦合氧化层上的第一浮栅层，所述第一浮栅层填充满所述第一浮栅沟槽；所述第二浮栅结构包括：位于所述第二浮栅沟槽表面的第二耦合氧化层、以及位于所述第二耦合氧化层上的第二浮栅层，所述第二浮栅层填充满所述第二浮栅沟槽。

14.如权利要求13所述的分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高明，于涛，李冰寒，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：