一种半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分垫氧化层、垫氮化层和衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，第一次平坦化处理所述绝缘介质，绝缘介质与两侧的垫氮化层齐平；微刻蚀处理垫氮化层，形成微结构层，微刻蚀采用弱物理溅射方式；氧化处理垫氮化层，形成中间氧化层；等量去除中间氧化层和部分绝缘介质；重复微刻蚀处理、氧化处理以及等量去除步骤，直至去除所述垫氮化层；去除所述垫氧化层和部分所述绝缘介质。通过本发明专利技术提供的半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，特别涉及一种半导体结构的制作方法。

技术介绍

1、浅沟槽隔离结构（shallow trench isolation，sti）是集成电路中重要的结构，设置在半导体器件之间，可防止相邻的半导体器件之间的电流泄漏，缩减隔离区域的面积。在形成浅沟槽隔离结构的过程中，在去除垫氮化层后，浅沟槽隔离结构高于垫氧化层，在去除垫氧化层时，高出的浅沟槽隔离结构从多个方向刻蚀，很容易会在sti与衬底的界面处的角边缘过度腐蚀填充的氧化层而形成凹陷区（divot）。这种“divot”现象导致在半导体器件在跨越sti与有源区时，组成栅极的多晶硅会填入divot的区域，从而在该处产生一个寄生器件，导致正常半导体器件在操作时会产生额外的漏电。还会造成衬底上层拐角处的电场强度过大，导致漏电问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制作方法，通过本专利技术提供的半导体结构的制作方法，避免浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，能够避免半导体结构出现漏电现象，半导体结构具有良好的隔离效果，提高半导体结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

3.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述预设功率为1000W~3000W，所述预设压力为0.1Torr~10Torr。

4.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氢气和所述惰性气体的总流量为300sccm~900sccm，所述氢气和所述惰性气体的流量比为2：1~4：1。

5.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

3.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述预设功率为1000w~3000w，所述预设压力为0.1torr~10torr。

4.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氢气和所述惰性气体的总流量为300sccm~900sccm，所述氢气和所述惰性气体的流量比为2：1~4：1。

5.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

6.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述等离子设备的工作功率为4000w~800...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，运广涛，邵章朋，苏圣哲，罗钦贤，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：