多波长硅光发射芯片制造技术

本发明专利技术涉及光学元件领域，尤其涉及一种多波长硅光发射芯片，其输入波导用于输入双波段的光信号。第一多模干涉耦合器连接于输入波导，用于将来自于输入波导的双波段的光信号分配至两路传输路径。每一路传输路径包括硅光调制器和两个第二多模干涉耦合器。硅光调制器通过波导连接于两个第二多模干涉耦合器之间。硅光调制器包括反偏电极和两个高频电极，两个高频电极位于波导的相对两侧并与波导相连，反偏电极位于波导的中部。高频电极包括沿第一方向布置的多段子电极，多段子电极包括主体部、连接部和端部。连接部和端部连接于主体部沿第二方向上的一侧，连接部与端部形成T字型结构。端部向着波导的方向延伸，并连接于波导。实现了高速信号调制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学元件领域，尤其涉及一种多波长硅光发射芯片。

技术介绍

1、在通信领域，为了提升光信号传输的容量，单光纤双波长传输的光组件已成为各控制点的重要设备。因1310nm通信窗口附近光纤的色散几乎为零，1550nm通信窗口光纤插入损耗最低，故常用的双波段选为1310nm和1550nm波段。此外，高速电信号的调制和长距离传输成为了当今通信界中的研究重点。因此，同时实现双波段通信信号的高速传输成为了重要的研究方向，实现可同时调制双波段且集成度高的硅光发射芯片成为研究的重点。

2、但是，常见的硅光发射芯片中的马赫曾德尔型硅光调制器，其电光带宽低，使得高频信号的传输速率低。因此，需要一种可以明显地增大电光带宽的硅光调制器。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术创造旨在提供一种多波长硅光发射芯片，在微波损耗和调制效率基本不变的情况下，明显地增大电光带宽，进而加快了高频信号的传输速率，实现了高速信号调制。

2、为达到上述目的，本专利技术创造的技术方案是这样实现的：p>

3、一种多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多波长硅光发射芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述高频电极还包括用于连接于高频探针的第一金属平板，所述第一金属平板连接于所述多段子电极沿第一方向上的一侧。

3.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述反偏电极包括金属电极和用于连接于直流电压源的第二金属平板，所述金属电极连接于所述波导的中部，所述第二金属平板连接于所述金属电极，通过所述第二金属平板向所述金属电极输入直流反偏信号。

4.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述硅光调制器还包括终端电阻，所述终端电阻连接...

【技术特征摘要】

1.一种多波长硅光发射芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述高频电极还包括用于连接于高频探针的第一金属平板，所述第一金属平板连接于所述多段子电极沿第一方向上的一侧。

3.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述反偏电极包括金属电极和用于连接于直流电压源的第二金属平板，所述金属电极连接于所述波导的中部，所述第二金属平板连接于所述金属电极，通过所述第二金属平板向所述金属电极输入直流反偏信号。

4.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，所述硅光调制器还包括终端电阻，所述终端电阻连接于所述两个高频电极之间，且位于所述硅光调制器的输出端的一侧；所述终端电阻的阻抗值为30ω~70ω。

5.根据权利要求1所述的多波长硅光发射芯片，其特征在于，还包括对应于所述硅光调制器设置的相移器，所述相移器位于所述波导上方2μm~5μm的高度处，通过改变施加于所述相移器的电压，使所述波导的相位和所述硅光调制器的工作点改变。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王继厚，孟浩然，高丹恒，洛猛，刘晓，张效尘，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：