气相沉积包覆设备制造技术

技术编号:45866861 阅读:17 留言:0更新日期:2025-07-19 11:22
本技术公开了一种气相沉积包覆设备,涉及二次电池技术领域,包括:熔融装置,所述熔融装置内设置有熔融加热器;CVD反应装置,所述CVD反应装置上设置有反应加热器;气流搅拌器,所述气流搅拌器上设置有进气阀与出气孔;收集罐,所述收集罐通过收集管与所述CVD反应装置连通;原料在熔融装置内通过熔融加热器加热后熔融,熔融后的原料直接注入在CVD反应装置中,气流搅拌器注入的硅烷气体作为热解气体可以从出气孔喷出并均匀的分布在CVD反应装置内,气流搅拌器使通入CVD反应装置内的热解气体可以更均匀的分布在CVD反应器内,并且提高气相沉积的均匀度和热解气体的使用率,硅烷分解效率更高,进而提高电池能量密度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及二次电池,尤其涉及一种气相沉积包覆设备


技术介绍

1、二次电池在电子产品、电动车和储能领域里得到了越来越多的应用。电池质量能量密度和体积能量密度对电动车、电子产品的使用尤为重要。而提高电池能量密度主要通过提高正负极能量密度材料来实现提高单位质量和单位体积能量密度。

2、现有的二次锂电池和钠电池负极材料主要是石墨和硬碳,其中高能量密度的硅碳等合金材料应用较多。对于硅碳负极材料制备技术,气相沉积法是一种有效的包覆方法,通常是在石墨材料容器中通入硅烷气体,在高温下硅烷热分级生成纳米硅包覆在材料表面。在实践中,硅烷热分解包覆纳米硅材料时的包覆均匀度会随着材料和设备的混合均匀程度有变化,导致气相沉积的均匀度不够稳定,硅烷分解效率受到影响。而上述情况也会影响电池能量密度的提高。


技术实现思路

1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种气相沉积包覆设备。

2、根据本技术的气相沉积包覆设备,包括:熔融装置,所述熔融装置具有第一空腔,所述熔融装置内设置有熔融加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气相沉积包覆设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述熔融装置(100)内设置有坩埚(140),所述坩埚(140)与所述导流管(210)连通,所述熔融加热器(130)位于所述坩埚(140)外侧壁上。

3.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述CVD反应装置(200)内设置有雾化喷气嘴(240),所述雾化喷气嘴(240)的喷口朝向所述导流管(210)的输出侧位置。

4.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述气流搅拌器(300)包括有搅拌主轴(310)与搅拌桨(320),所述...

【技术特征摘要】

1.一种气相沉积包覆设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述熔融装置(100)内设置有坩埚(140),所述坩埚(140)与所述导流管(210)连通,所述熔融加热器(130)位于所述坩埚(140)外侧壁上。

3.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述cvd反应装置(200)内设置有雾化喷气嘴(240),所述雾化喷气嘴(240)的喷口朝向所述导流管(210)的输出侧位置。

4.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述气流搅拌器(300)包括有搅拌主轴(310)与搅拌桨(320),所述气流通道(301)位于所述搅拌主轴(310)、所述搅拌桨(320)内,所述进气阀(311)与所述搅拌主轴(310)连接,所述出气孔(321)位于所述搅拌桨(320)上。

5.根据权利要求1或4所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述气流搅拌器(300)连接有搅拌电机(330),所述搅拌电机(330)位于所述cvd反应装置(200)外侧。

6.根据权利要求1所述的气相沉积包覆设备,其特征在于,所述cvd反应装置(200)上设置有出气...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐士民杨波李凌
申请(专利权)人:广东迅朗新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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