一种晶圆级电感封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆级电感封装结构及其制备方法，封装结构包括中介层、电磁凸块、塑封体、塑封部和第三功能芯片，塑封体设有两个，塑封体旋转90度后垂直设于中介层正面，且对称设置在电磁凸块的两侧，使第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层朝向中介层正面，塑封体中的第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层通过中介层实现与电磁凸块的电气连接；塑封部包覆两个塑封体和电磁凸块，第三功能芯片集成在第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面。本发明专利技术提供的晶圆级电感封装结构，实现了在有限的空间内高密度集成6颗芯片，显著减小了封装尺寸，且制备方法简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，更具体涉及一种晶圆级电感封装结构及其制备方法。

技术介绍

1、在当前的半导体行业中，电子封装技术已然成为推动整个行业发展的一个不可或缺的重要方面。经过几十年的持续演进，封装技术取得了长足的进步，使得高密度，高性能的封装要求逐渐成为封装领域的主流发展趋势。

2、扇出晶圆级封装技术，作为在晶圆级加工过程中实现的嵌入式封装形式，不仅代表了封装技术的一大创新，更是一种具备高i/o数量、展现出卓越集成灵活性的主要先进封装工艺。它以其独特的技术优势，在满足现代电子产品对高性能、小型化需求方面发挥着日益重要的作用。

3、在现如今的封装
中，为了实现高度系统整合以及高密度互联，从而满足半导体电子产品日益复杂的功能需求，提升产品性能、增加封装密度以及提高电性能传输效率，已成为对高端半导体产品提出的最为关键和具有影响力的技术方案。这些技术方案不仅代表着半导体封装技术的最新发展成果，更是当前半导体厂商竞相投入研发资源、努力攻克的技术难关。它们引领着当代半导体研究的方向，为半导体产业的持续进步与创新提供了强大的动力。

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【技术保护点】

1.一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述中介层背面设有锡球，用于与外部电路电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述中介层为有机介质和再布线金属层混合的结构。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述电磁凸块由具有电磁性的NiFe材料制成。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述第一功能芯片和第二功能芯片为具有存储功能的存储芯片；所述第三功能芯片为具有SOC处理器的芯片。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述中介层背面设有锡球，用于与外部电路电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述中介层为有机介质和再布线金属层混合的结构。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述电磁凸块由具有电磁性的nife材料制成。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆级电感封装结构，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：​赵玥，徐倩倩，谢雨龙，张中，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：