一种异质集成电光调制器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种异质集成电光调制器件及其制备方法，制备方法包括：在第一衬底一侧表面形成凹槽，填充凹槽形成保护层，在保护层背向第一衬底的一侧表面依次形成埋层和电光材料层，形成电光材料晶圆；在第二衬底一侧表面依次形成包层、波导芯和键合介质层，键合介质层包覆波导芯背向第二衬底的一侧表面和波导芯的侧面，形成波导芯晶圆；将电光材料层与键合介质层接触并键合连接在一起；保护层在第二衬底上的投影至少部分覆盖波导芯在第二衬底上的投影；去除第一衬底；在埋层一侧形成多个电极，电极位于波导芯两侧对应的位置。本发明专利技术可以降低电光材料层‑波导芯复合波导的传播损耗，提高器件的电光调制效率和速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种异质集成电光调制器件及其制备方法。

技术介绍

1、现有的异质集成电光调制器件一般是将电光材料薄膜(例如薄膜铌酸锂)键合在氮化硅波导芯上方形成复合波导。技术方案之一是通过薄膜铌酸锂晶圆或小片(结构通常为铌酸锂薄膜/埋氧层/硅衬底)与氮化硅光子学平台晶圆键合，然后去除薄膜铌酸锂晶圆的硅衬底，实现铌酸锂-氮化硅的异质集成。电光材料薄膜一般有晶圆和小片两种形式。

2、对于电光材料薄膜晶圆(例如薄膜铌酸锂晶圆)键合至氮化硅波导芯晶圆表面，需要对铌酸锂进行图形化工艺，以实现除电光调制以外的其他基于氮化硅的光子器件集成、金属互联和布线。而进行铌酸锂图形化，则降低了制备流程对cmos工艺的兼容性。

3、对于电光材料薄膜小片(例如薄膜铌酸锂小片)键合至氮化硅波导芯晶圆表面，薄膜铌酸锂小片离散分布于氮化硅晶圆表面，去除薄膜铌酸锂的硅衬底的过程中，由于硅衬底厚度较大、去除时间长，存在硅去除不均匀，出现硅残留或埋氧层损伤，导致氮化硅-铌酸锂复合波导传播损耗增加的问题。另外，通过增加薄膜铌酸锂晶圆埋氧层的厚度可以避免硅残留或本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的异质集...

【技术特征摘要】

1.一种异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的异质集成电光调制器件的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘敬伟，李超，李春龙，周良，蔡丰任，张彦乐，花晓强，
申请(专利权)人：国科光芯金杏北京实验室科技有限公司，
类型：发明
国别省市：