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一种基于阳极修饰的量子点发光二极管及其制备方法和应用技术

技术编号:45839374 阅读:18 留言:0更新日期:2025-07-15 22:46
本发明专利技术公开了一种基于阳极修饰的量子点发光二极管及其制备方法和应用,属于光伏器件技术领域。量子点发光二极管包括阳极、阴极,以及依次设置在阳极与阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层;空穴注入层的原料为PEDOT:PSS掺杂自组装分子。本发明专利技术将PEDOT:PSS与自组装分子结合,有效降低了PEDOT:PSS的腐蚀性,增强了界面稳定性;自组装分子与阳极材料结合,能够有效降低空穴注入势垒,提高了空穴注入效率,基于PEDOT:PSS与自组装分子阳极修饰后的QLED器件无论在亮度、效率,还是在器件稳定性方面均有十分显著地提升,能够将深蓝光量子点发光二极管外量子效率提升至18.33%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏器件,具体涉及一种基于阳极修饰的量子点发光二极管及其制备方法和应用


技术介绍

1、随着科技的不断发展,人们对显示领域的技术要求越来越高,量子点发光二极管(qled)作为一种新型显示技术,凭借其高色域、高亮度、长寿命和低功耗等优势,被视为未来显示领域的重要方向之一。qled器件通常是含有透明阳极(ito)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)、金属阴极的多层器件结构,各个功能层之间的界面对载流子的注入和传输、激子复合区域以及激子复合效率产生直接影响,同时也是决定器件性能的重要因素。其中改善阳极与有机功能层的界面是优化qled器件性能的主要方式,通过对ito阳极进行修饰以达到改善能级匹配、增强界面稳定性等目的,为制备高性能qled器件奠定基础。

2、为了改善阳极与有机功能层的界面性质,目前主要的修饰方式有两种:一种是利用等离子体处理、酸碱吸附处理、自组装单分子层修饰等物理或化学方法对ito表面进行直接处理,另一种就是在阳极和有机功能层界面引入缓冲层来间接改变阳极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,包括阳极、阴极,以及依次设置在所述阳极与阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层;所述空穴注入层的原料为PEDOT:PSS掺杂自组装分子。

2.根据权利要求1所述的基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,所述PEDOT:PSS的HOMO能级为-5.2eV,所述自组装分子包括膦酸类自组装分子、羧酸类自组装分子和硅烷类自组装分子中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,所述膦酸类自组装分子包括(2-(9H-咔唑-9-基)乙基)膦酸、[2-(3,6-二苯...

【技术特征摘要】

1.一种基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,包括阳极、阴极,以及依次设置在所述阳极与阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层;所述空穴注入层的原料为pedot:pss掺杂自组装分子。

2.根据权利要求1所述的基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,所述pedot:pss的homo能级为-5.2ev,所述自组装分子包括膦酸类自组装分子、羧酸类自组装分子和硅烷类自组装分子中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的基于阳极修饰的量子点发光二极管,其特征在于,所述膦酸类自组装分子包括(2-(9h-咔唑-9-基)乙基)膦酸、[2-(3,6-二苯基-9h-咔唑-9-基)乙基]磷酸、[2-(3,6-二甲氧基-9h-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[2-(3,6-二氟-9h-咔唑-9-基)乙基]磷酸、[2-(3,6-二氯-9h-咔唑-9-基)乙基]磷酸、[2-(3,6-二溴-9h-咔唑-9-基)乙基]磷酸、(4-(9h-咔唑-9-基)乙基)膦酸、[4-(3,6-二甲基-9h-咔唑-9-基)丁基]膦酸、[4-(3,6-二甲氧基-9h-咔唑-9-基)丁基]膦酸、[4-(7h-二苯并[c,g]咔唑-7-基)丁基]膦酸、苯基膦酸、3,4,5-三氟苄基磷酸、2,3,4,5,6-五氟苄基磷酸、4-三氟甲基苄基磷酸、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基磷酸和3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-二十一氟十二烷基磷酸中的一种或多种;所述羧酸类自组装分子包括苯甲酸、4-联苯甲酸、4-三氟甲基-苯甲酸、4'-三氟甲基-联苯-4-羧酸、蒽甲酸、芴-4-甲酸和9-h-咔唑-2-羧酸中的一种或多种;所述硅烷类自组装分子包括三氟丙基...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘红丽李怡璇王世荣李祥高
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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