一种高瞬态抗扰度氮化镓晶体管裸晶及晶体管芯片制造技术

本公开实施例一种高瞬态抗扰度氮化镓晶体管裸晶及晶体管芯片，属于晶体管领域，其中一种高瞬态抗扰度氮化镓晶体管裸晶，包括：氮化镓裸晶本体；功率晶体管，设置于氮化镓裸晶本体上；第一驱动晶体管，设置于氮化镓裸晶本体上，第一驱动晶体管与功率晶体管的受控端连接，第一驱动晶体管用于根据控制信号驱使功率晶体管导通或截止。通过功率晶体管与第一驱动晶体管集成在同一氮化镓裸晶本体上，在第一驱动晶体管驱动功率晶体管过程中，无需通过导线，能够降低寄生电阻与寄生电感，提高功率晶体管的瞬态抗扰度，进而降低功率晶体管的开关损耗并且提高功率晶体管的功率效率，有利于改善氮化镓裸晶本体上功率晶体管的性能表现。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏，宋敏奎，林逸铭，孔鹏举，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：