碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法、系统、介质和设备技术方案

本发明专利技术公开了一种碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法、系统、介质和设备，方法包括如下步骤：S1、采用线扫图象采集装置采集定位后的晶锭表面的图像，对采集的图像进行增强处理和滤波预处理得出可用于计算的计算图像；S2、得到训练后的模型；S3、使用训练后的模型对图象进行预测，得到初步的浓度斑区域，再通过连通域分析，选择面积最大的浓度斑区域为待定浓度斑区域A1，通过特征分析对晶锭进行粗定位，之后设定搜索区域比例，选出限定浓度斑可能出现的区域几何限定区域A2，选择A1和A2的交集区域为浓度斑区域A；S4、计算浓度斑区域A的外接矩形，确定每条激光切割线的起点和终点。优点：提高碳化硅晶锭浓度斑的定位精度以及识别率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体为一种碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法、系统、介质和设备。

技术介绍

1、碳化硅(sic)因其优异的物理化学性质，被广泛认为是最有前途的第三代半导体衬底材料。与传统半导体晶片的加工过程类似，sic衬底晶片是通过对sic晶锭切割，及后续的研磨、抛光、检测等工序得到，其中，晶锭切割目前广泛采用激光切割的方式实现。

2、由于前道生产工艺的限制，sic晶锭极易产生浓度斑区域(如图5中绿色区域)，该区域的电阻率值通常较高，如果在切割时使用跟其它区域同样的激光功率是无法将该区域的晶锭分割开，此时需要对该浓度斑区域进行补切，而补切则需要对该区域进行精确的定位。经过对过往晶锭筛选浓度斑的追溯得出浓度斑出现在晶锭的特定方位。传统的浓度板定位时需要一旦筛选出超出阈值的异常区域即判定为浓度斑，导致浓度斑判定错误。

3、传统定位通常基于图像定位，浓度斑在图像中通常表现为低灰度值无规则闭合区域，传统的算法是对全图进行特征分析，先通过阈值分割、连通域分析大致分割出若干待选的低灰度值区域，再通过面积对区域进行筛选，进而定位浓度斑区域。但本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、采用线扫图像采集装置采集定位后的晶锭表面的图像，对采集的图像进行增强处理和滤波预处理得出可用于计算的计算图像；S2、对计算图像进行浓度斑区域的标注，对标注好的图像进行采样，利用语义分割模型对采样后的标记图像进行训练得到训练后的模型；S3、使用训练后的模型对图像进行预测，得到初步的浓度斑区域，再通过连通域分析，选择面积最大的浓度斑区域为待定浓度斑区域A1，通过特征分析对晶锭进行粗定位，之后设定搜索区域比例，选出限定浓度斑可能出现的区域几何限定区域A2，选择A1和A2的交集区域为浓度斑区域A；S4、计算浓度斑区域A的外接矩...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：包括如下步骤：s1、采用线扫图像采集装置采集定位后的晶锭表面的图像，对采集的图像进行增强处理和滤波预处理得出可用于计算的计算图像；s2、对计算图像进行浓度斑区域的标注，对标注好的图像进行采样，利用语义分割模型对采样后的标记图像进行训练得到训练后的模型；s3、使用训练后的模型对图像进行预测，得到初步的浓度斑区域，再通过连通域分析，选择面积最大的浓度斑区域为待定浓度斑区域a1，通过特征分析对晶锭进行粗定位，之后设定搜索区域比例，选出限定浓度斑可能出现的区域几何限定区域a2，选择a1和a2的交集区域为浓度斑区域a；s4、计算浓度斑区域a的外接矩形，按设定的步长等间距绘制垂直切割线，确定每条激光切割线的起点和终点。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：所述晶锭通过真空载台定位，所述晶锭在图像的x方向和y方向居中，所述线扫图形采集装置为相机，所述相机的采集模式为位置触发模式，所述相机x方向和y方向的精度均为0.055mm/pixel。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：所述增强处理的公式为：

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：所述滤波处理为高斯滤波处理，所述高斯滤波处理的公式为：

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特征在于：所述s2具体包括如下步骤：

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭浓度斑图像定位方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶为银，闫兴，
申请(专利权)人：江苏通用半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：