衬底研磨方法以及研磨机台技术

本发明专利技术提供了一种衬底研磨方法以及研磨机台。所述方法包括：提供一衬底；将所述衬底置于一载台上，所述载台表面为平坦表面；在所述载台表面和衬底的背面之间通入液体使衬底悬浮；冷却以在所述载台表面和衬底的背面之间形成冷冻层；研磨所述衬底的正面；升温使所述冷冻层融化；对衬底的背面进行研磨。上述技术方案的基于冷冻层抵消衬底背面起伏的研磨工艺有效解决了传统衬底研磨工艺中存在的问题，能够提高工艺良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种衬底研磨方法以及研磨机台。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，衬底的研磨是至关重要的工序，其表面平整度直接影响后续器件的性能和制造良率。然而，衬底的背面往往并非平整，存在一定波纹状的起伏。因为晶圆(正面和背面)的主要波纹源于多线切割(mws)工艺。在此工艺中，切割线轻微摆动，机器热膨胀会导致晶圆产生波浪形轮廓，这种波纹并非旋转对称，而是沿切割方向分布。此类波纹的幅度在几微米范围内。尽管后续工艺难以完全消除这种波纹，但从宏观上校正晶圆形状的主要步骤是研磨和磨削等机械晶圆加工工艺。

2、若直接对这样的衬底进行研磨，会导致衬底受力不均，进而对正面的平整度产生负面影响。

3、为解决这一问题，现有技术通常采用树脂填入衬底背面和载台之间的缝隙，使用的树脂首先具有低粘度，使晶圆能以松弛状态漂浮在树脂上，背面形状的起伏通过树脂层厚度的变化来补偿。待晶圆在低粘度树脂上漂浮后，再通过紫外线固化硬化树脂，为后续研磨工艺固定晶圆。但这种方法存在明显的缺陷，树脂在后续工艺中很难完全去除，残留的树脂会对衬底造成污染，影本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底研磨方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体为水，形成的冷冻层为冰层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载台具有限制液体流动的侧壁。

5.一种研磨机台，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的研磨机台，其特征在于，所述液体为水，形成的冷冻层为冰层。

7.根据权利要求5所述的研磨机台，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。

8.根据权利要求5所述的研磨机台，其特征在于，所述载台具有...

【技术特征摘要】

1.一种衬底研磨方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体为水，形成的冷冻层为冰层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载台具有限制液体流动的侧壁。

5.一种研磨机台，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：