【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法。
技术介绍
1、氧化铝陶瓷基板作为薄膜电路衬底基板，其具有优异的热导率、电绝缘性和机械强度，广泛应用于微电子、光电子、功率半导体等领域，尤其是高功率和高频电子封装中的关键核心元件。基板按结构一般分为普通基板和通孔金属化基板，对于通孔类基板，需要采用机械或激光等方式在基板内部加工通孔结构，然后再进行表面及孔内金属化工艺制作。
2、氧化铝陶瓷基板属于高硬脆材料，采用传统机械加工方法加工极易使其产生裂纹，成品率较低，适用于孔数量少、打孔质量要求不高的场景。高密度打孔基板一般采用高功率激光打孔，具有效率高、成本低等优点。传统的激光打孔对象是已烧结的熟瓷基板，由于陶瓷本征的高硬脆特点，即使对于非接触式的激光加工技术，也会由于辐照中在材料局部所产生的较大热应力而导致孔周围及孔内出现崩边、熔渣、裂纹的产生，使后续孔金属化过程出现金属脱膜风险。尤其是高频电路基板，甚至影响产品质量和性能。虽然皮秒、飞秒等激光器可解决热应力带来上述问题，但其成本高且效率低，...
【技术保护点】
1.一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：所述步骤20)高温预烧结，预烧结温度为1540℃～1560℃，升温速率10～15℃/min，保温时间1～1.5h、降温速率15～20℃/min。
3.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：所述步骤30)激光打孔，孔径尺寸为0.1mm～0.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精...
【技术特征摘要】
1.一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：所述步骤20)高温预烧结，预烧结温度为1540℃～1560℃，升温速率10～15℃/min，保温时间1～1.5h、降温速率15～20℃/min。
3.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：所述步骤30)激光打孔，孔径尺寸为0.1mm～0.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种基于预烧结工艺的氧化铝陶瓷基板高精度通孔加工方法，其特征在于：所述步骤40)二次高温烧结，烧结温度高于预烧结温度50～100℃，升温速率5～10℃/min，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王一丁，张伟强，朱建军，李浩，王子鸣，高浩，夏海洋，崔凯，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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