一种Eu3+掺杂的单一基质白光发射荧光粉及其制备方法、应用技术

本公开提出一种Eu<supgt;3+</supgt;掺杂的单一基质白光发射荧光粉及其制备方法、应用，属于发光材料技术领域。制备方法包括：提供初始发光材料R<subgt;4.667</subgt;Si<subgt;3</subgt;O<subgt;13</subgt;:xEu<supgt;3+</supgt;，其中R为Y<supgt;3+</supgt;、Lu<supgt;3+</supgt;、Gd<supgt;3+</supgt;或La<supgt;3+</supgt;，Eu<supgt;3+</supgt;取代R的摩尔数x满足0.005≤x≤0.10；初始发光材料在还原气氛中进行至少三个阶段式升温退火处理，得到Eu<supgt;3+</supgt;掺杂的单一基质白光发射荧光粉。本公开以R<subgt;4.667</subgt;Si<subgt;3</subgt;O<subgt;13</subgt;:xEu<supgt;3+</supgt;初始红发光材料为基质，通过特定后退火工艺，在晶格中引入稳定氧缺陷，重构Eu<supgt;3+</supgt;配位环境，激活其<supgt;5</supgt;D<subgt;0</subgt;、<supgt;5</supgt;D<subgt;1</subgt;、<supgt;5</supgt;D<subgt;2</subgt;、<supgt;5</supgt;D<subgt;3</subgt;能级的多能级发光跃迁，最终实现单一基质中的白光发射。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于发光材料，具体涉及一种eu3+掺杂的单一基质白光发射荧光粉及其制备方法、应用。

技术介绍

1、白光led照明技术自20世纪90年代取得突破以来，已发展成为第四代照明技术的主流方向。目前商业化的白光led主要通过两种技术路线实现：第一种是基于ingan蓝光芯片(450-470纳米)激发yag:ce3+黄色荧光粉的组合方案，该技术虽然成熟稳定，但存在显色指数偏低(ra<75)、色温偏高(>4500k)的固有缺陷，难以满足高品质照明需求；第二种是采用近紫外芯片(380-410纳米)激发rgb三基色荧光粉的混光方案，虽然显色性有所提升(ra>85)，但多组分体系存在不同荧光粉间热稳定性差异大、光衰不同步等问题，导致器件寿命和光效降低(光效通常<100lm/w)。

2、在荧光粉材料体系研究中，稀土离子掺杂的发光材料因其优异的发光性能备受关注。其中，eu3+离子作为典型的红光激活中心，其5d0→7fj(j＝1-4)跃迁产生的红光发射(580-700纳米)已被广泛应用于荧光粉设计。然而，eu3+的高能级发光(5d1→7fj绿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Eu3+掺杂的单一基质白光发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，至少三个阶段退火处理的温度范围为400℃～950℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在至少三个阶段退火处理中，后一阶段温度比前一阶段温度高50℃～200℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在至少三个阶段退火处理中，每个退火阶段的保温时间≥60分钟。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述初始发光材料在还原气氛中进行至少三个阶段式升温退火处理，包括：

6....

【技术特征摘要】

1.一种eu3+掺杂的单一基质白光发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，至少三个阶段退火处理的温度范围为400℃～950℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在至少三个阶段退火处理中，后一阶段温度比前一阶段温度高50℃～200℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在至少三个阶段退火处理中，每个退火阶段的保温时间≥60分钟。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述初始发光材料在还原气氛中进行至少三个阶段式升温退火处理，包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在至少三个阶段退火处理中，材料晶格中引入稳定氧缺陷，在紫外-近紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏东磊，和明，杨希峰，刘玉申，
申请(专利权)人：苏州工学院，
类型：发明
国别省市：