用于激光雷达的光接收装置、光接收装置的动态调节方法制造方法及图纸

技术编号:45791359 阅读:15 留言:0更新日期:2025-07-11 20:04
本发明专利技术提供了一种用于激光雷达的光接收装置及动态调节该光接收装置的方法,包括:光电传感器,包括多个像素单元,像素单元包括单光子雪崩二极管,像素单元配置成探测单个光子发生雪崩并转化为输出电信号;电压源,配置成向光电传感器提供偏置电压;和调节单元,耦接在电压源和光电传感器之间,配置成根据环境光的强度调节光电传感器的偏置电压,从而调节光电传感器的光子探测效率,当环境光的强度不大于第二阈值时,增大光电传感器的光子探测效率,其中光子探测效率通过光电传感器探测到的光子数量与入射到光电传感器的光子数量的比值来表征。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光探测领域,尤其涉及一种用于激光雷达的光接收装置以及动态调节该光接收装置的方法。


技术介绍

1、激光雷达目前被广泛应用在无人驾驶领域,其中硅光电倍增管(sipm)作为接收端的光电传感器,相比于雪崩二极管(apd),其制作工艺与cmos工艺兼容,而且读取电路更简单,易于集成,是激光雷达接收端的理想传感器。

2、硅光电倍增管(sipm)是由多个像素单元组成的阵列,所述像素单元为工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(spad)与其串联的淬灭电阻构成,其中每一个单光子雪崩光电二极管(spad)都与一个淬灭电阻串联。当有光子被单光子雪崩二极管接收后,形成电子空穴对,在空间电荷区内电子被加速得到足够的动能,通过碰撞电离形成二次电子空穴对,最终触发一个自永续电离级联,使得硅导电,从而产生电流。

3、在单光子雪崩二极管产生电流后,串联在单光子雪崩二极管的淬灭电阻会获得较高的分压使得单光子雪崩光电二极管两端的电压降低到击穿电压以下,从而阻止雪崩,随后单光子雪崩二极管重新充电恢复到击穿前的状态,进而又可以进行光子探测。

4、这本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于激光雷达的光接收装置,包括:

2.如权利要求1所述的光接收装置,其中所述调节单元包括:

3.如权利要求1所述的光接收装置,其中所述调节单元包括:

4.如权利要求3所述的光接收装置,其中所述电流检测单元包括:

5.如权利要求4所述的光接收装置,还包括第一电容单元,与所述光电传感器并联,配置成在接收信号光时使所述光电传感器上的偏置电压保持稳定。

6.如权利要求1-5中任一项所述的光接收装置,其中所述调节单元配置成:

7.如权利要求3-5中任一项所述的光接收装置,其中所述电压调节单元包括:可调节电阻值的金属-氧...

【技术特征摘要】

1.一种用于激光雷达的光接收装置,包括:

2.如权利要求1所述的光接收装置,其中所述调节单元包括:

3.如权利要求1所述的光接收装置,其中所述调节单元包括:

4.如权利要求3所述的光接收装置,其中所述电流检测单元包括:

5.如权利要求4所述的光接收装置,还包括第一电容单元,与所述光电传感器并联,配置成在接收信号光时使所述光电传感器上的偏置电压保持稳定。

6.如权利要求1-5中任一项所述的光接收装置,其中所述调节单元配置成:

7.如权利要求3-5中任一项所述的光接收装置,其中所述电压调节单元包括:可调节电阻值的金属-氧化物半导体场效应晶体管、双极结型晶体管和低压差线性稳压器中任一种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:陶俊朱雪洲向少卿
申请(专利权)人:上海禾赛科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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