金属格栅的制作方法技术

本申请公开了一种金属格栅的制作方法，包括：通过光刻工艺进行第一次刻蚀，在硬掩模层中形成第一凹槽，硬掩模层形成于金属层上，硬掩模层包括氧化物层，金属层形成于绝缘层上方，绝缘层形成于晶片的背面，晶片用于形成CIS，金属层用于形成CIS的金属格栅；进行第二次刻蚀，去除第一凹槽下方的硬掩模层和金属层，在金属层中形成第二凹槽，第二凹槽底部的绝缘层暴露；其中，第二次刻蚀包括依次进行的第一阶段和第二阶段，在第一阶段的刻蚀过程中使用的反应气体包括氩气，在第二阶段的刻蚀过程中使用的反应气体包括氯气和氧气。本申请实施例提供的金属格栅的制作方法降低了金属层和氧化物层界面的“侧掏”缺陷产生的几率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种金属格栅的制作方法。

技术介绍

1、图像传感器是将光信号转换为电信号的电子器件，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话以及医疗电子等领域。在图像传感器中，互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor，cis)采用传统的cmos电路工艺制作，可将图像传感器以及其所需的外围电路加以整合，从而使得cis具有广泛的应用前景。

2、按照接受光线的位置的不同，cis可以分为前照式(front-side illumination，fsi)和背照式(back-side illumination，bsi)两种结构。与fsi cis相比，bsi cis改变了元件的内部结构，将感光层元件的入射光路调转方向，使光线从元件背面直射进去，避免了在fsi cis中，光线会受到微透镜和光电二极管(photodiode，pd)之间的结构和厚度的影响，提高了光线接收的效能。在bsi cis的制作工艺中，可通过设置金属格栅(m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属格栅的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层包括钨层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层和所述绝缘层包括二氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阶段持续的时间小于10秒。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阶段中的压力的取值范围为4毫托至7毫托。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二阶段包括主刻蚀阶段和过刻蚀阶段，所述主刻蚀阶段的功率小于所述过刻蚀阶段的功率。

7.根据权利要求6所述的方...

【技术特征摘要】

1.一种金属格栅的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层包括钨层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层和所述绝缘层包括二氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阶段持续的时间小于10秒。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一阶段中的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：任婷婷，姚道州，杨鑫，杜保田，郭海亮，王华勇，陈诺，惠科石，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：