本发明专利技术涉及抛光机技术领域，具体公开了一种高精密双面研磨抛光机，包括抛光台及其上设置的抛光垫；还包括：收集腔，安装于所述抛光台边侧，收集腔内部与抛光台台面边缘的凹槽贯通，并且收集腔内部设有限制抛光液流通及转向的阻隔器，并且阻隔器上远离收集腔和抛光台贯通接背面设有泵体，泵体与抛光台外侧的导液管连接，同时阻隔器内部边缘处还设有集废组件，集废组件上设有吸附组件，吸附组件用于抛光液中大颗粒物料的吸附。该高精密双面研磨抛光机，能够在持续的抛光液辅助研磨抛光过程中，自动化分离出研磨过程中产生的大颗粒杂质，避免颗粒杂质影响工件抛光研磨的平坦化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆抛光，具体为一种高精密双面研磨抛光机。
技术介绍
1、晶圆抛光是在进行晶圆切割成型后，对晶圆表明实施打磨、保证其平坦度的工艺，其工艺是利用机械研磨与化学腐蚀同步协同，对晶圆的打磨面实施高精度的平坦化处理，利用抛光液中的化学物质与晶圆外表面反应生成易除去的软化层，并利用旋转中抛光垫与抛光液中的颗粒物磨料，对软化层进行物理研磨，实现晶圆表面平整。
2、现有的研磨抛光机通过持续的旋转及研磨液添加，实现抛光垫与待抛光晶圆之间的相对运动，达到抛光效果，此过程中利用化学腐蚀与研磨作用达到平整，同时也会将晶圆待打磨的被软化层，被研磨颗粒加工除去，此过程中研磨液汇集至抛光垫及待打磨的晶圆处，通过液体流通性与研磨颗粒的运动特性，带走被研磨下来的软化层；但是在晶圆的持续研磨，利用颗粒物磨料进行研磨加工，此作业过程中，也会使得抛光液中混杂大颗粒的晶圆软化层颗粒物杂质，此类颗粒物杂质会混杂于抛光液的颗粒物磨料中，导致晶圆在持续的研磨抛光过程中，因抛光液中残留的大颗粒物杂质影响晶圆打磨面的平坦度，影响晶圆抛光成型的效果。
>3、针对上述问题，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高精密双面研磨抛光机，包括抛光台（1）及其上设置的抛光垫（2）；
2.根据权利要求1所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述抛光台（1）上方还设置有定位器（201）、排液组件（202）和移动组件（203），其中定位器（201）用于晶圆定位及抛光加工，排液组件（202）用于抛光液的添加设置。
3.根据权利要求1或2所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述收集腔（3）与抛光台（1）之间通过密封式的弹性管件对接，弹性管件实现收集腔（3）内部与抛光台（1）台面边缘的凹槽贯通连接，同时抛光台（1）的底部固定于工作台（101）顶面之上。
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【技术特征摘要】
1.一种高精密双面研磨抛光机，包括抛光台（1）及其上设置的抛光垫（2）；
2.根据权利要求1所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述抛光台（1）上方还设置有定位器（201）、排液组件（202）和移动组件（203），其中定位器（201）用于晶圆定位及抛光加工，排液组件（202）用于抛光液的添加设置。
3.根据权利要求1或2所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述收集腔（3）与抛光台（1）之间通过密封式的弹性管件对接，弹性管件实现收集腔（3）内部与抛光台（1）台面边缘的凹槽贯通连接，同时抛光台（1）的底部固定于工作台（101）顶面之上。
4.根据权利要求3所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述阻隔器（4）的内部还设置有振动组件（401），同时收集腔（3）的底面通过磁板（402）与工作台（101）顶面边缘处之间为弱磁性的活动连接。
5.根据权利要求1或4所述的一种高精密双面研磨抛光机，其特征在于：所述阻隔器（4）位于收集腔（3）的内部中心处，阻隔器（4）外边缘处与收集腔（3）边侧内壁之间预留有抛光液流通的导向渠，该导向渠的转向拐角处设有抛光液中大颗粒物质积留的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹鑫，陈颖，陈吉祥，侯孝贤，曹幼林，
申请(专利权)人：靖江市艾研精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：
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