基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件制造技术

本发明专利技术公开了基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，涉及天线技术领域；包括基衬底：所述基衬底作为器件的主要支撑基板；光电导衬底，所述光电导衬底植入基衬底的槽中，并通过液态粘合剂固定；电极结构，用于连接信号通路，所述电极结构包括辐射结构、采样结构、传输结构及激励结构；阻抗转换传输结构，用于确保高频信号在光电导衬底到基衬底的过渡区域传输特性连续；该基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，提升器件的集成密度，在有限的芯片面积内整合更多的功能；提高器件的性能，由于材料匹配和电路设计更加优化，其能效和精度会得到提升；简化制造工艺，降低了成本，具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及天线，具体为基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件。

技术介绍

1、天线作为一种经典的无源器件，可以实现导行高频交流电流与空间辐射电磁波之间的相互转换，已经被广泛应用于各个领域。随着大数据时代的到来，人们对高速数据传输的需求日益提高，无线通信的频段也逐渐提高。目前产业界中已有成熟的无源天线设计方案，支持着毫米波段的无源天线设计，然而与之相互矛盾的是，由于尺寸微缩下产生的漏电效应，电学脉冲源的工作频率被限制在了110ghz以下，失去了高频脉冲源的支持，高频无源天线如同空中楼阁，进而限制了高频无线通信的发展。因此新型的高频电磁波发射器件受到了广泛的研究，例如光电导天线、自旋太赫兹器件、光电二极管天线等，这类新型器件相较于传统无源天线无需外部的电流源激励，因此突破了电流脉冲源频率的限制。这类器件在激光的激励下利用衬底材料的光电转化特性自主产生交变电流，进而形成电磁波辐射。并且目前最新的研究表明，这类器件能够产生太赫兹频率的电磁波辐射。

2、但是目前该类器件也面临如下问题：

3、功率难以提升。2、调制方法有限。3、无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：包括如下：

2.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述基衬底上开有槽，槽的深度与待植入的光电导衬底厚度相当。

3.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述基衬底主要构成器件基板；

4.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述光电导衬底为GaAs或InP材料；

5.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述...

【技术特征摘要】

1.基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：包括如下：

2.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述基衬底上开有槽，槽的深度与待植入的光电导衬底厚度相当。

3.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述基衬底主要构成器件基板；

4.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述光电导衬底为gaas或inp材料；

5.根据权利要求1所述的基于异质材料同面集成的片上天线与脉冲源集成器件，其特征在于：所述光电导衬底作为光电脉冲源，生成交变电流。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠翔，方霄，郑翔宇，肖晨，赵巍胜，
申请(专利权)人：杭州市北京航空航天大学国际创新研究院北京航空航天大学国际创新学院，
类型：发明
国别省市：