一种背接触太阳能电池及其制备方法技术

提供背接触太阳能电池的制备方法及电池，方法为，在硅片背面沉积第一钝化层，在背面贴合第一掩膜，露出第一掩膜的第一图案化开口对应的第一预设区域，去除第一预设区域对应的第一钝化层后沉积第一导电复合层，去除第一掩膜得到第一预设功能层；在背面贴合第二掩膜，露出第二掩膜的第二图案化开口对应的第二预设区域，去除第二预设区域对应的第二钝化层后沉积第二导电复合层，除第二掩膜形成第二预设功能层；背面制备电极得到背接触太阳能电池。其中，第一和第二导电区之间具有间隔，第一和第二预设区域包括导电类型相反的第一和第二导电区，第一和/或第二预设区域还包括连通区。本发明专利技术在形成PN结的同时，完成了连通功能层和隔离区的制备。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池制造，具体而言，涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、背接触太阳能电池制作的光伏组件在实际使用过程中，当遮挡物覆盖背接触太阳能电池上，会局部温度升高产生热斑效应，容易导致光伏组件脱层、背板灼烧、玻璃爆裂等问题，严重时可能导致光伏组件的报废。

技术实现思路

1、本申请提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法，在制备工艺中交替以掩膜方式实现p区、n区、pn隔离区及连通区的图案化，使得整个制备工艺过程操作简单易实现，并为后续的工艺处理提供便利性，降低热斑风险。

2、为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

3、本申请实施例的一方面，提供一种背接触太阳能电池的制备方法，包括：

4、提供预处理的n型硅片衬底；

5、在硅片背面沉积第一钝化层；

6、在硅片背面贴合第一掩膜，露出和第一图案化开口对应的第一预设区域，所述第一预设区域包括第一导电区；

7、去除第一预设区域对应的所述第一钝化层，露出n型硅片衬底；...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一导电区为P区，所述第一导电复合层为P型导电复合层，所述第二导电区为N区，所述第二导电复合层为N型导电复合层；

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P区包括多个沿第一方向延伸的P区叉指区，所述N区包括多个沿第一方向延伸的N区叉指区，所述P区叉指区和所述N区叉指区交替排列；所述P区还包括沿第二方向延伸的P区连接区，所述P区连接区和多个所述P区叉指区连接，所述N区还包括沿第二方向延伸的N区连接区，所述N区连接区和...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一导电区为p区，所述第一导电复合层为p型导电复合层，所述第二导电区为n区，所述第二导电复合层为n型导电复合层；

3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述p区包括多个沿第一方向延伸的p区叉指区，所述n区包括多个沿第一方向延伸的n区叉指区，所述p区叉指区和所述n区叉指区交替排列；所述p区还包括沿第二方向延伸的p区连接区，所述p区连接区和多个所述p区叉指区连接，所述n区还包括沿第二方向延伸的n区连接区，所述n区连接区和多个所述n区叉指区连接，

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述p区连接区或所述n区连接区的延伸方向上，3～15mm内设置一个连通区，在垂直于所述p区连接区或所述n区连接区的延伸方向上，相邻的连接区设置一个或多个连通区。

5.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述p区包括多个沿第一方向延伸的p区叉指区，所述n区包括多个沿第一方向延伸的n区叉指区，所述p区叉指区和所述n区叉指区交替排列，其中，所述连通区设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张松，陆红艳，严婷婷，朱凡，
申请(专利权)人：帝尔激光科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：