【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高导电功能织物领域,具体涉及一种高导电性的mxene基织物的制备方法及应用。
技术介绍
1、近年来,随着智能可穿戴电子设备的快速发展,对于具有高导电性、高柔性和良好集成能力的纺织品的需求日趋增长。mxene作为一类新型二维导电材料,具有良好的表面亲水性、高导电性等特点,并已经在可穿戴电子信息、能源存储、能量转化等方面表现出应用的前景。以高分子纤维作为基本单元构建的织物往往表现出与高分子材料类似的基本物理和化学特性,比如较强的疏水性和惰性的表面特性,因此难以直接将亲水的mxene直接与其相互作用,构建稳定的界面,从而实现织物的高导电特性。目前的方法是通过对织物或者mxene进行修饰的方法来提高两者之间的作用力。例如,选用含有特定表面亲水基团的织物(acs appl.mater.interfaces,2020,12,41,46446.),等离子体处理织物表面提高活性基团数量(chem.eng.j.,2022,430,132605.)以及粘结剂处理(j.colloid.interface sci.,2023,629.508.)等
...【技术保护点】
1.一种高导电性的Ti3C2Tx MXene基织物,其特征在于:具有MXene纳米片表面包裹织物的结构;其中,所述MXene通过施压条件下摩擦的方式负载。
2.根据权利要求1所述的一种高导电性的Ti3C2Tx MXene基织物,其特征在于,所述织物厚度为0.1~5mm,织物结构为机织布、针织布、无纺布或三维编织布。
3.根据权利要求1所述的一种高导电性的Ti3C2Tx MXene基织物,其特征在于,织物种类包括棉、涤纶、锦纶、聚四氟乙烯、聚乙烯或聚丙烯织物,或者为以及任意两种以上上述材料的混编织物。
4.根据权利要求1所述的高导电性
...【技术特征摘要】
1.一种高导电性的ti3c2tx mxene基织物,其特征在于:具有mxene纳米片表面包裹织物的结构;其中,所述mxene通过施压条件下摩擦的方式负载。
2.根据权利要求1所述的一种高导电性的ti3c2tx mxene基织物,其特征在于,所述织物厚度为0.1~5mm,织物结构为机织布、针织布、无纺布或三维编织布。
3.根据权利要求1所述的一种高导电性的ti3c2tx mxene基织物,其特征在于,织物种类包括棉、涤纶、锦纶、聚四氟乙烯、聚乙烯或聚丙烯织物,或者为以及任意两种以上上述材料的混编织物。
4.根据权利要求1所述的高导电性的ti3c2tx mx...
【专利技术属性】
技术研发人员:张扬,武观,陈韦,满增明,吕汪洋,
申请(专利权)人:现代纺织技术创新中心鉴湖实验室,
类型:发明
国别省市:
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