记忆体电路、电阻式非挥发性记忆体及其操作方法技术

本发明专利技术提出一种记忆体电路、电阻式非挥发性记忆体及其操作方法，电阻式非挥发性记忆体包含至少一电阻可变场效晶体管以及单极性源极/通道/漏极二极管。至少一电阻可变场效晶体管电性连接至少一位元线。单极性源极/通道/漏极二极管是由一无栅极电极的场效晶体管所构成，单极性源极/通道/漏极二极管的两端分别电性连接一源线与至少一电阻可变场效晶体管。本发明专利技术的电阻式非挥发性记忆体无需额外的字线及其相关电路，实现超微缩晶片尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种储存电路及其操作方法，且特别是有关于一种记忆体电路、电阻式非挥发性记忆体及其操作方法。

技术介绍

1、随着摩尔定律的进展速度，各种嵌入式记忆体已经在代工厂中量产。在许多应用领域中，半导体记忆体广泛地运用在各类电子产品。

2、然而，传统嵌入式记忆体形成在互补金属氧化物半导体(cmos)技术的前端工艺和后端工艺中，这使得增加了光罩和制造步骤的数量，导致成本居高不下。另外，传统嵌入式记忆体的技术均采用三端主动元件作为控制晶体管，需要额外的字线和相关电路，导致功耗增加且面积过大。

技术实现思路

1、本专利技术提出一种记忆体电路、电阻式非挥发性记忆体及其操作方法，改善先前技术的问题。

2、在本专利技术的一些实施例中，本专利技术所提出的电阻式非挥发性记忆体包含至少一电阻可变场效晶体管以及单极性源极/通道/漏极二极管。至少一电阻可变场效晶体管电性连接至少一位元线。单极性源极/通道/漏极二极管是由一无栅极电极的场效晶体管所构成，单极性源极/通道/漏极二极管的两端分别电性连接源线与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该至少一电阻可变场效晶体管的一栅极电性连接该至少一位元线，该至少一电阻可变场效晶体管的一第一端浮接，该单极性源极/通道/漏极二极管的两端分别电性连接该源线与该至少一电阻可变场效晶体管的一第二端，该单极性源极/通道/漏极二极管为npn型二极管或nin型二极管。

3.如权利要求2所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该单极性源极/通道/漏极二极管包含：

4.如权利要求3所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该单极性源极/通道/漏极二极管与该至少一电...

【技术特征摘要】

1.一种电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该至少一电阻可变场效晶体管的一栅极电性连接该至少一位元线，该至少一电阻可变场效晶体管的一第一端浮接，该单极性源极/通道/漏极二极管的两端分别电性连接该源线与该至少一电阻可变场效晶体管的一第二端，该单极性源极/通道/漏极二极管为npn型二极管或nin型二极管。

3.如权利要求2所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该单极性源极/通道/漏极二极管包含：

4.如权利要求3所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该单极性源极/通道/漏极二极管与该至少一电阻可变场效晶体管共用该第二源极/漏极扩散区，该至少一电阻可变场效晶体管包含：

5.如权利要求1所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该单极性源极/通道/漏极二极管的两端分别电性连接该源线与该至少一电阻可变场效晶体管的一栅极，该至少一电阻可变场效晶体管的一第一端浮接，该至少一电阻可变场效晶体管的一第二端电性连接该至少一位元线，该单极性源极/通道/漏极二极管为pnp型二极管或pip型二极管。

6.如权利要求5所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该该单极性源极/通道/漏极二极管包含：

7.如权利要求6所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，还包含：

8.如权利要求7所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，该至少一电阻可变场效晶体管包含：

9.如权利要求8所述的电阻式非挥发性记忆体，其特征在于，还包含：

10.一种记忆体电路，其特征在于，包含：

11.如权利要求10所述的记忆体电路，其特征在于，每一该记忆体单元包含一另一电阻式非挥发性记忆体，该另一电阻式非挥发性记忆体的一端电性连接该电阻式非挥发性记忆体与该至少一位元线，该另一电阻式非挥发性记忆体的另一端电性连接另一源线。

12.如权利要求10所述的记忆体电路，其特征在于，每一该记忆体单元包含一另一电阻式非挥发性...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢易叡，曾元亨，
申请(专利权)人：昱叡电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：