【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁波抑制,特别是电磁带隙结构参数的计算方法。
技术介绍
1、随着工作频率的提升和集成度的增加,系统级封装(sip)内多芯片之间的电磁干扰(emi)问题日益严重。为了有效抑制emi,微波和射频应用中通常采用金属多腔体来隔离多个芯片,这些屏蔽多腔体主要由金属封装盖互连基板上的金属布线层构成。然而,由于基板布线层金属因信号互连并不完整,导致sip的屏蔽多腔体并非完全密封,从而使得辐射源产生的干扰电磁波能够通过基板缝隙泄漏至基板内部。基板的介质层与上下金属布线层形成类似平行板波导结构,不仅支持tem模式波的传播,还可能引发平行板谐振。陶瓷基板的尺寸较小,高介电常数的介质材料以及边缘效应使得基板内部的谐振特性极为复杂,且难以准确预测。现有研究通常将基板的谐振频率计算方法类比于金属谐振空腔的方法,但这种类比无法精确反映基板的实际谐振特性。当电磁波在基板谐振频率处产生高强度的电磁场时,这些电磁波会进一步通过基板金属布线层的缝隙耦合进入sip的屏蔽多腔体,进而对腔体内的敏感元器件造成干扰。
2、目前的研究将电磁带隙结构(eb
...【技术保护点】
1.一种SIP多腔体与基板耦合谐振抑制结构,该结构为EBG结构,采用嵌入EBG结构抑制SIP多腔体的谐振现象,EBG结构设置在两层基板之间,为周期性排列的正方形金属贴片,每片正方形金属贴片的中心通过金属柱连接底部陶瓷基板,正方形金属贴片与上层基板之间填充介质材料εr1,正方形金属贴片与下层基板之间填充介质材料εr2;介质材料εr1与介质材料εr2的介电常数均为陶瓷。
2.一种如权利要求1所述的SIP多腔体与基板耦合谐振抑制结构的设计方法,该方法中的EBG结构中金属贴片等效为单元尺寸1/2的传输线,EBG的等效电路包括:第一传输线、第二传输线、第三传输线、第
...【技术特征摘要】
1.一种sip多腔体与基板耦合谐振抑制结构,该结构为ebg结构,采用嵌入ebg结构抑制sip多腔体的谐振现象,ebg结构设置在两层基板之间,为周期性排列的正方形金属贴片,每片正方形金属贴片的中心通过金属柱连接底部陶瓷基板,正方形金属贴片与上层基板之间填充介质材料εr1,正方形金属贴片与下层基板之间填充介质材料εr2;介质材料εr1与介质材料εr2的介电常数均为陶瓷。
2.一种如权利要求1所述的sip多腔体与基板耦合谐振抑制结构的设计方法,该方法中的ebg结构中金属贴片等效为单元尺寸1/2的传输线,ebg的等效电路包括:第一传输线、第二传输线、第三传输线、第四传输线、第...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁亚亚,杜平安,任攀,汪楚林,张伟,杨金升,刘聪,夏敬轩,李晓康,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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