基于γ-Al2O3相变TiO2协同诱导的TFT无碱玻璃基板羟基清除方法技术

本发明专利技术公开了一种基于γ‑Al2O3相变TiO2协同诱导的TFT无碱玻璃基板羟基清除方法，S1将γ‑Al2O3粉体和TiO2粉体配制成悬浮液，将悬浮液涂覆在无碱玻璃基板表面；S2将无碱玻璃基板放入高温炉中，向炉内持续通入H2与N2的混合气体，以5‑15℃/min的升温速率升温至400‑500℃，保温20‑40min；再以10‑20℃/min的升温速率升温至700‑900℃；随后进行周期性温度波动；S3最后将无碱玻璃基板冷却至室温后进行清洗，即完成无碱玻璃基板的羟基清除。本发明专利技术利用γ‑Al2O3与TiO2的复合涂层在加热过程中的相变特性，诱导玻璃中的羟基发生化学反应，从而高效清除羟基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及玻璃，具体涉及一种基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法。

技术介绍

1、tft无碱玻璃基板，作为液晶显示器、有机发光二极管(oled)等高端电子显示设备中的核心组件，其性能的优劣直接关系到显示设备的成像质量、清晰度以及长期使用的可靠性。β-oh(羟基)作为无碱玻璃基板中的一种关键杂质，其含量的高低对玻璃基板的性能有着至关重要的影响。当β-oh含量过高时，会导致玻璃基板的应变点降低，进而影响其热稳定性和机械性能，使得显示设备在使用过程中可能出现图像失真、寿命缩短等问题。

2、针对无碱玻璃基板中β-oh含量的控制，现有技术虽然采取了一系列措施，如严格控制原材料的水分、提高碎玻璃的利用率、调整氧燃比等，以期降低玻璃中的羟基含量。然而，在实际生产过程中，这些方法普遍存在以下不足：操作流程复杂，对生产设备和工艺要求较高；生产成本增加，影响企业经济效益；清除效果有限，难以满足高性能显示设备的需求。

3、面对这一技术难题，当前行业迫切需要研发一种更为高效、经济的羟基清除方法，以提高羟基清除效果，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于γ-Al2O3相变TiO2协同诱导的TFT无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于γ-Al2O3相变TiO2协同诱导的TFT无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤S1中，以离子液体[BMIM][BF4]为分散剂，将γ-Al2O3粉体和TiO2粉体配制成悬浮液。

3.如权利要求1所述的基于γ-Al2O3相变TiO2协同诱导的TFT无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤S1中，γ-Al2O3粉体的平均粒径为30-80nm，TiO2粉体的平均粒径为20-50nm。

4.如权利要求1所述的基于γ-Al2O...

【技术特征摘要】

1.基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤s1中，以离子液体[bmim][bf4]为分散剂，将γ-al2o3粉体和tio2粉体配制成悬浮液。

3.如权利要求1所述的基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤s1中，γ-al2o3粉体的平均粒径为30-80nm，tio2粉体的平均粒径为20-50nm。

4.如权利要求1所述的基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤s1中，γ-al2o3粉体和tio2粉体的质量比为(2-4):1。

5.如权利要求1所述的基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清除方法，其特征在于，步骤s1中，采用狭缝喷涂法将悬浮液涂覆在无碱玻璃基板表面，喷涂距离为10-15cm，涂层厚度为3-8μm。

6.如权利要求1所述的基于γ-al2o3相变tio2协同诱导的tft无碱玻璃基板羟基清...

【专利技术属性】
技术研发人员：张稳，王俊峰，周萌，
申请(专利权)人：四川蜀旺辰昇新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：