一种基于银基硫族化合物的宽频谱电磁波调制方法技术

一种基于银基硫族化合物的宽频谱电磁波调制方法，属于电磁波调制技术领域。本发明专利技术基于银基硫族化合物在特征外场触发下金属绝缘体电子相变特性实现对1GHz‑300THz宽频谱范围电磁波的突变式调制，结合谐振结构设计，从而实现电磁波开关、电磁波智能屏蔽、动态信息通信加密、多频谱伪装、被动式电磁波防护功能与应用。其主要构思在于引入具有电子相变特性的银基硫族化合物材料作为敏感介质，利用特征温度、特征压力、特征电流触发银基硫族化合物电子相变所引起的涵盖微波、太赫兹、红外频段电磁波光学特性的突变。本发明专利技术突破了宽频谱响应与多模态动态调制的技术壁垒，且调制作用可由银基硫族化合物材料的组分及谐振阵列的结构协同调控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁波调制，具体涉及一种基于银基硫族化合物的宽频谱电磁波调制方法。

技术介绍

1、覆盖红外至微波波段的电磁波在通信、遥感、医疗和军事等领域具有重要应用价值。其中红外波段是电磁波谱中波长介于可见光与微波之间的一个重要区域，波长跨度在0.78μm至300μm之间。红外辐射本质上是物体热运动产生的电磁波，一切温度高于绝对零度的物体都会发出红外辐射，且辐射强度与物体温度密切相关，温度越高，辐射越强。此外，红外波具有良好的穿透能力，能够穿透一些可见光难以穿透的物质，因此在红外成像、无损检测、温度监测等领域具有一定的应用价值【1】。太赫兹波(terahertz,thz)位于电磁波谱中红外和微波之间，频率范围为0.1thz至10thz，波长跨度在30μm至3mm之间。太赫兹波具有低光子能量、高穿透性、宽带性、高稳定性等一系列特殊性质，因此在生物医疗、无损检测、高速通信等领域具有广泛的应用前景【2-3】。微波是电磁波谱中波长介于1mm至1m之间的电磁波，具有频率高、波长短、穿透力强、能量传输效率高等特性，这些特性使其在卫星通信、气象监测、航空导航等众多领域展本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于银基硫族化合物的太赫兹波多场调制方法，其特征在于，基于银基硫族化合物在特征外场触发下金属绝缘体电子相变特性实现对1GHz-300 THz宽频谱范围电磁波的突变式调制，结合谐振结构设计，从而实现电磁波开关、电磁波智能屏蔽、动态信息通信加密、多频谱伪装、被动式电磁波防护功能与应用。

2.如权利要求1所述的基于银基硫族化合物的太赫兹波多场调制方法，其特征在于，所述的银基硫族化合物材料组分为Ag2-xAxS1-yBy，其中A为银位取代元素，0≤x≤1，包括Cu、Zn、Ni、Co、Bi元素；B为硫位取代元素，0≤y≤1，包括Se、Te、F、Cl、Br元素；通过对所述银基硫族...

【技术特征摘要】

1.一种基于银基硫族化合物的太赫兹波多场调制方法，其特征在于，基于银基硫族化合物在特征外场触发下金属绝缘体电子相变特性实现对1ghz-300 thz宽频谱范围电磁波的突变式调制，结合谐振结构设计，从而实现电磁波开关、电磁波智能屏蔽、动态信息通信加密、多频谱伪装、被动式电磁波防护功能与应用。

2.如权利要求1所述的基于银基硫族化合物的太赫兹波多场调制方法，其特征在于，所述的银基硫族化合物材料组分为ag2-xaxs1-yby，其中a为银位取代元素，0≤x≤1，包括cu、zn、ni、co、bi元素；b为硫位取代元素，0≤y≤1，包括se、te、f、cl、br元素；通过对所述银基硫族化合物组分控制，可实现对其金属绝缘体相变触发外场的连续调控，包括：金属绝缘体相变触发特征温度、压力、电场、电流密度、电磁波频率与功率密度；并同时实现由金属绝缘体相变所触发的电磁波透射率与反射率的突变、相位延迟、偏振角的频谱分布关系；所述特征温度范围为250-500k；所述特征压力范围为10-200mpa；所述特征电场强度范围为0.1-10kv/cm；所述特征电流密度范围为106-109a/cm2；所述特征电磁波频率范围为3ghz-300 thz；所述电磁波功率密度范围为10-3-103w/cm2。

3.如权利要求1所述的基于银基硫族化合物的太赫兹波多场调制方法，其特征在于，所述的银基硫族化合物的薄膜、粉体、块体材料作为调制材料实现电磁波调...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈吉堃，边驿，张天尧，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：