【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及半导体,具体涉及一种直写设备的剂量控制系统及控制方法。
技术介绍
1、在半导体制造领域,直写设备通过控制能量束(光、电子和离子等等)的偏转和通断,在基底材料上方的光刻胶上刻画出图案,再经过后续的刻蚀、沉积和显影等工序,实现电路结构的制作。
2、直写设备无掩模板,其工作过程是对输入的版图设计文件中的图案进行曝光,图案的曝光控制一般通过图形发生器来执行。以电子束曝光为例,具体的曝光过程为:
3、事先根据光刻胶的特性、厚度和束流大小计算出形状里一个曝光点的曝光时间,然后在进行一个形状的曝光时,依次执行:
4、1.控制偏转放大电路使电子束偏转到形状的起始点;
5、2.打开束闸,让电子束一直处于开启状态;
6、3.在一个曝光点停留达到曝光时间长度;
7、4.控制偏转放大电路使电子束偏转到下一个曝光点;
8、5.依次重复执行步骤3和步骤4,直到一个形状结束;
9、6.关闭束闸。
10、配合工件台的移动,重复执行所有形状的曝光
...【技术保护点】
1.一种直写设备的剂量控制系统,其特征在于,包括曝光指令产生模块、前级数据缓冲模块、曝光时钟预处理模块、后级数据缓冲模块、状态寄存器模块、时钟调整模块、时钟选择模块、指令执行模块和输出控制接口模块;
2.根据权利要求1所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述前级数据缓冲模块、曝光时钟预处理模块、后级数据缓冲模块、状态寄存器模块、时钟调整模块、时钟选择模块、指令执行模块和输出控制接口模块均集成在FPGA上。
3.根据权利要求2所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述前级数据缓冲模块和后级数据缓冲模块均为FPGA的FIFO。
【技术特征摘要】
1.一种直写设备的剂量控制系统,其特征在于,包括曝光指令产生模块、前级数据缓冲模块、曝光时钟预处理模块、后级数据缓冲模块、状态寄存器模块、时钟调整模块、时钟选择模块、指令执行模块和输出控制接口模块;
2.根据权利要求1所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述前级数据缓冲模块、曝光时钟预处理模块、后级数据缓冲模块、状态寄存器模块、时钟调整模块、时钟选择模块、指令执行模块和输出控制接口模块均集成在fpga上。
3.根据权利要求2所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述前级数据缓冲模块和后级数据缓冲模块均为fpga的fifo。
4.根据权利要求1或2或3所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述时钟调整模块包括多个时钟调整单元。
5.根据权利要求1或2或3所述的直写设备的剂量控制系统,其特征在于,所述状态寄存器模块为独立模块、或者曝光时钟预处理模块自身的寄存器或指令执行模块自身的寄存器。
6.一种基于权利要求1-5中任意一项所述的直写设备的剂量控制系统的控制方法,其特征在于,包括步骤:
7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,所述曝光控制指令数据由曝光指令码组成,曝光指令码8字节对齐,曝光指令码由指令及其参数和填充组成,其中指令占1个字节,参数及填充部分占7个字节,指令包括曝光时钟调...
【专利技术属性】
技术研发人员:李杰,刘让周,刘鹏,盛开宇,毛源豪,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十八研究所,
类型:发明
国别省市:
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