【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及hemt，具体涉及一种p-gan栅及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体材料的发展，半导体材料至今已经从以硅为代表的第一代半导体材料，到以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，再到如今以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）为代表的第三代宽禁带半导体材料，其中hemt（高电子迁移率晶体管）就是应用氮化镓材料的典型器件。
2、现有常规的hemt均为耗尽型，其在实际使用时需要给栅极施加一个负的栅极电压才能使器件关断，而这导致芯片设计时增加了设计成本，因此如何实现增强型gan hemt一直是该领域研究的难点。
3、目前研究人员通过凹槽栅技术、p-gan栅技术、氟离子注入技术、cascode结构等一系列方法来实现增强型的hemt器件。
4、然而凹槽栅技术在实际实施时需要对刻蚀深度控制较为精准，而且刻蚀深度极大的降低了沟道处的电子迁移率，从而造成器件性能退化；氟离子注入技术也存在较大的不稳定性；另外cascode结构会增大电路的复杂性，且需要硅基器件辅助，限制了器件的应用环境。相对于以上三种技术，...
【技术保护点】
1.一种P-GaN栅，其特征在于，包括GaN沟道层，所述GaN沟道层的上表面设有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上表面的栅极预设区域设有P-GaN层，所述P-GaN层的上表面设有盖帽层，且所述盖帽层上设有凹槽，所述凹槽从所述盖帽层的上表面向下延伸至所述P-GaN层的上表面，所述盖帽层的上表面和所述凹槽中设有TiN层。
2.根据权利要求1所述的一种P-GaN栅，其特征在于，所述盖帽层的材质为Si3N4，且所述盖帽层的厚度在3nm～500nm之间。
3. 根据权利要求1所述的一种P-GaN栅，其特征在于，所述TiN层的厚度在10 nm～20
...【技术特征摘要】
1.一种p-gan栅，其特征在于，包括gan沟道层，所述gan沟道层的上表面设有algan势垒层，所述algan势垒层的上表面的栅极预设区域设有p-gan层，所述p-gan层的上表面设有盖帽层，且所述盖帽层上设有凹槽，所述凹槽从所述盖帽层的上表面向下延伸至所述p-gan层的上表面，所述盖帽层的上表面和所述凹槽中设有tin层。
2.根据权利要求1所述的一种p-gan栅，其特征在于，所述盖帽层的材质为si3n4，且所述盖帽层的厚度在3nm～500nm之间。
3. 根据权利要求1所述的一种p-gan栅，其特征在于，所述tin层的厚度在10 nm～200nm之间。
4.一种p-gan栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的一种p-gan栅的制作方法，其特征在于，步骤s1中生长的盖帽层的材质为si3n4；其中盖帽层的生长厚度在3nm～500nm之间，生长温度600℃～1100℃之间，生长压力在40torr～500torr之间；在实际生长时，在n2和/或h2的气氛中，将sih4和nh3反应生成si3n4。
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