【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电解质陶瓷材料,尤其是涉及一种改性sofc电解质陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
1、sdc等萤石结构材料由于良好的氧离子导电性和化学稳定性,被广泛应用于透氧膜的氧离子传导相和sofc电解质。但sdc致密性烧结温度过高(1400 ℃~1600 ℃),难以与其它材料共烧,降低其烧结温度成为行业内共需。同时,不同目标需求对电解质电导行为的要求也相异,除了对总电导率提升的共同需求外,不同目标产品对混合离子电子传导能力及晶界和晶粒电导等具有差异化需求。因此,改善sdc等萤石结构材料的烧结性能,同时调控其电导行为意义重大。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术旨在提出一种改性sofc电解质陶瓷材料及其制备方法,以解决
技术介绍
中至少一个技术问题。
2、为达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:
3、一种改性sofc电解质陶瓷材料,在萤石相基体上添加助烧元素,助烧元素包括cu、co或者fe中的一种或多种。
4、进一步地,助烧元素添加萤石相基的添
...【技术保护点】
1.一种改性SOFC电解质陶瓷材料,其特征在于:在萤石相基体上添加助烧元素,助烧元素包括Cu、Co或者Fe中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一种改性SOFC电解质陶瓷材料,其特征在于:助烧元素添加萤石相基的添加方式分为晶界择优偏聚或晶格固溶中的一种;
3.根据权利要求1所述的一种改性SOFC电解质陶瓷材料,其特征在于:助烧元素添加含量为1 mol%-5 mol%。
4.权利要求1-3任一项所述的一种改性SOFC电解质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
5.根据权利要求4所述的一种改性SOFC电解质陶瓷
...【技术特征摘要】
1.一种改性sofc电解质陶瓷材料,其特征在于:在萤石相基体上添加助烧元素,助烧元素包括cu、co或者fe中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一种改性sofc电解质陶瓷材料,其特征在于:助烧元素添加萤石相基的添加方式分为晶界择优偏聚或晶格固溶中的一种;
3.根据权利要求1所述的一种改性sofc电解质陶瓷材料,其特征在于:助烧元素添加含量为1 mol%-5 mol%。
4.权利要求1-3任一项所述的一种改性sofc电解质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
5.根据权利要求4所述的一种改性sofc电解质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤s1中的晶界择优偏聚的粉体制备方法包括:
6.根据权利要求4所述的一种改性sofc电解质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:白伟,吴波,董江峰,周道卿,冯俊小,
申请(专利权)人:中国北方发动机研究所,
类型:发明
国别省市:
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