【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工,特别涉及一种高分辨率纳米压印凸模板的制备方法。
技术介绍
1、微纳制造技术是现代微纳米科技产业的重要支柱,是集成电路、光电器件和微机电系统的制造基础。传统的光刻技术如深紫外光刻和电子束光刻,无法在加工分辨率、加工精度及加工面积等方面实现兼顾,纳米压印技术可大面积复制高分辨纳米结构,并且极大降低能耗,是后摩尔时代的主流光刻技术之一,纳米压印技术的基本原理是运用纳米图形模板压在聚合物上进行模压成型,实现纳米图形的加工,该技术不依赖于光学系统的分辨率,可突破光学衍射极限。
2、纳米压印模版的分辨率和精度对最终结构的分辨率和精度起到决定性作用,由于相关技术中制备高分辨率的掩模版涉及光刻和图形转移等多个步骤,保持多步骤之间的高分辨图形转移仍然存在重大挑战,例如在使用电子束刻蚀进行图形转移的过程中,需要在石英衬底上增加导电层,但很难使导电层的厚度保持一致且精确达到所需标准,厚度不均匀的导电层会导致电子束在光刻过程中,不同区域的电子束传播和作用效果不同形成误差。
3、因此,如何减小图形转移过程中的误差
...【技术保护点】
1.一种高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,在步骤S10之前,还包括以下步骤:采用氧等离子体对所述衬底进行处理;
3.如权利要求2所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,所述单分子溶液的溶质包括六甲基二硅胺烷、十八烷基三氯硅烷、三氯(1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基)硅烷以及正辛基三氯硅烷中的至少一种;和/或,
4.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,步骤S10包括:
5.
...【技术特征摘要】
1.一种高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,在步骤s10之前,还包括以下步骤:采用氧等离子体对所述衬底进行处理;
3.如权利要求2所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,所述单分子溶液的溶质包括六甲基二硅胺烷、十八烷基三氯硅烷、三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷以及正辛基三氯硅烷中的至少一种;和/或,
4.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,步骤s10包括:
5.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法,其特征在于,在步骤s10中:
6.如权利要求1所述的高分辨率纳米压印凸模板的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:段辉高,舒志文,
申请(专利权)人:湖大粤港澳大湾区创新研究院广州增城,
类型:发明
国别省市:
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