【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种增强的聚芳醚组合物,其值得注意地适用于静电放电应用,并且涉及一种包含其或由其制成的制品。
技术介绍
1、已知导电热塑性聚合物组合物可以用于防止静电放电(esd)。这些特种聚合物组合物通常被定制以跨越表面电阻率谱,并且可以经常被配制用于注射模制或挤出工艺。
2、多种技术可用于为原本绝缘的热塑性树脂赋予导电特性,从而提供esd保护所需要的精确导电程度。其中,可以将导电填料添加至热塑性聚合物中。
3、小尺寸碳材料(如纳米管)是最重要的填料材料之一。它可以有利地增加聚合物材料的强度并且使得该聚合物材料导电。然而,纤维形状结合其小尺寸使得它们难以均匀地分散在聚合物中。
4、us2010/0311869 a1教导了当使用不可商购的中空碳纳米球时,可以获得更好的分散。为了获得期望的形状,需要使用复杂的工艺来制备碳纳米球。
5、us 8,128,844 b2披露了在导电热塑性树脂组合物中使用有机纳米粘土以最小化或防止碳纳米管聚集或出乎意料地取向的趋势,并且可以使得碳纳米管均匀地分散在树脂
...【技术保护点】
1.一种聚芳醚组合物(C),其包含:
2.根据权利要求1所述的聚芳醚组合物(C),其中,该PAEK聚合物包含基于该PAEK聚合物中的重复单元的总重量大于50wt.%、至少60wt.%、至少70wt.%、至少80wt.%、至少90wt.%、至少95wt.%、至少99wt.%的由选自下式(I)至(V)的任何式表示的重复单元(RPAEK):
3.根据权利要求1或2所述的聚芳醚组合物(C),其中,该至少一种导电碳纳米填料(组分A1)选自由碳纳米管、表面改性的碳纳米管、碳纳米结构及其任何组合组成的组,
4.根据权利要求3所述的聚芳醚组合物(C
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种聚芳醚组合物(c),其包含:
2.根据权利要求1所述的聚芳醚组合物(c),其中,该paek聚合物包含基于该paek聚合物中的重复单元的总重量大于50wt.%、至少60wt.%、至少70wt.%、至少80wt.%、至少90wt.%、至少95wt.%、至少99wt.%的由选自下式(i)至(v)的任何式表示的重复单元(rpaek):
3.根据权利要求1或2所述的聚芳醚组合物(c),其中,该至少一种导电碳纳米填料(组分a1)选自由碳纳米管、表面改性的碳纳米管、碳纳米结构及其任何组合组成的组,
4.根据权利要求3所述的聚芳醚组合物(c),其中,该表面改性的碳纳米管是氨基接枝的碳纳米管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,该组分a1不包括中空碳纳米球。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,该聚芳醚组合物(c)包含基于该聚芳醚组合物(c)的总重量至少1wt.%、优选至少1.5wt.%,或更优选至少2wt.%、和/或至多10wt.%、优选至多5wt.%、更优选至多4wt.%的该组分a1。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,所述组分a2选自由云母、金属涂覆的云母、玻璃薄片、硅灰石、滑石、及其任何组合组成的组。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,所述组分a2呈板状或片状形式。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,该组分a2是不导电的。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的聚芳醚组合物(c),其中,该聚芳醚组合物(c)包含基于该聚芳醚组合物(c)的总重量大于10...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱圣盈,X·L·徐,
申请(专利权)人:索尔维特殊聚合物美国有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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