一种光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质，通过接收待处理掩膜图形；将所述待处理掩膜图形输入预训练的可预测随机效应的光学邻近校正模型，输出对应的平均光刻胶图像；根据预设的随机效应模型参数，降低与提高所述平均光刻胶图像的亮度，得到第一变更光刻胶图像及第二变更光刻胶图像；在所述第一变更光刻胶图像中，根据预设的模型阈值，得到内圈轮廓边缘，并在所述第二变更光刻胶图像中，根据所述模型阈值，得到外圈轮廓边缘；将所述内圈轮廓边缘与所述外圈轮廓边缘之间的区域，作为光刻后概率轮廓带。本发明专利技术在不显著增加运算时间与算力占用的前提下，实现了大规模集成电路芯片版图的热点预测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种光学邻近校正方法、装置、设备、存储介质、可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法及装置。

技术介绍

1、光学邻近校正(optical proximity correction，即opc)模型是根据给定的光刻工艺参数预测掩膜图案的光刻后轮廓，广泛应用于大规模集成电路的掩膜图案校正和热点预测。

2、现有的光学邻近校正模型虽然能对掩膜图案光刻后的轮廓线给出较为准确的预测，但却无法模拟光刻中的随机效应，光刻工艺中的随机效应主要有两个来源。首先，光具有波粒二象性，入射在光刻胶上的光子数量是起伏不定的，这种效应也称为光子的散粒噪声(shot noise)，会导致曝光能量的相对起伏，尤其对于光源波长较短的极紫外(euv)光刻，其光子密度很低，因此光子的散粒噪声相较于深紫外(duv)光刻大幅增加；其次是化学随机性，包括光刻胶中存在的组分不均匀、后烘过程中光酸迁移距离以及位置的不确定性等因素。光刻工艺中的随机效应会造成光刻后晶片上图案的特征尺寸不均匀和边缘粗糙，甚至导致断点(pinching)、桥联(bridgin本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，在输出所述平均光刻胶图像之后，还包括：

3.一种光学邻近校正装置，其特征在于，包括：

4.一种可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，校准所述随机效应模型参数的方法，包括：

6.如权利要求5所述的可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，在完成对所述线性系数、所述模型阈值及所述随机效应模型参数的校准之后，还包括：...

【技术特征摘要】

1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，在输出所述平均光刻胶图像之后，还包括：

3.一种光学邻近校正装置，其特征在于，包括：

4.一种可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，校准所述随机效应模型参数的方法，包括：

6.如权利要求5所述的可预测随机效应的光学邻近校正模型的训练方法，其特征在于，在完成对所述线性系数、所述模型阈值及所述随机效应模型参数的校准...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：