半导体结构及半导体结构的制备方法技术

一种半导体结构及半导体结构的制备方法，该半导体结构包括：衬底，衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；有源柱，有源柱分别沿第一方向和第二方向呈阵列的排列在第一表面上；位线，位线位于第二表面上，沿第一方向延伸，连接在第一方向排列的有源柱；屏蔽线，屏蔽线位于第二表面上，沿第一方向延伸，位于相邻的位线之间；屏蔽线中具有空隙，空隙的总体积占屏蔽线的体积比例不低于10％。有源柱和位线分别位于衬底的两面，可以有效的节省面积，提高存储密度，在相邻的位线之间形成屏蔽线，屏蔽线内具有空隙，空隙的总体积占屏蔽线的体积比例不低于10％，可以降低相邻位线之间的耦合电容，提高信号完整性和抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

技术介绍

1、随着存储器的集成密度朝着更高的方向发展，对存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及晶体管尺寸产生了更高的要求。研究人员研发了垂直晶体管结构，可以减少占用面积，提高存储密度。然而，相邻位线之间的耦合电容成为限制垂直晶体管存储器的关键因素，如何降低相邻位线的耦合电容、提高信号完整性和抗干扰能力成为大家研究的热点。

技术实现思路

1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体结构及半导体结构制备方法，用以降低相邻位线的耦合电容、提高信号完整性和抗干扰能力。

2、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；

3、有源柱，所述有源柱分别沿第一方向和第二方向呈阵列的排列在所述第一表面上；

4、位线，所述位线位于所述第二表面上，沿第一方向延伸，连接在第一方向排列的所述有源柱；

5、屏蔽线，所述屏蔽线位于所述第二表面上，沿第一方向延伸，位于相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，还包括，

6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求7-9任一项所述的制备方法，还包括...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，还包括，

【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，肖德元，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：