【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种保护电路及包括所述保护电路的半导体装置。
技术介绍
1、向半导体装置供给电源的电源装置(例如二次电池等)有可能由于连接器的逆连接或噪声等而施加与在稳定状态下施加的极性为相反极性(以下，简称为“相反极性”)的电源电压。一般的半导体装置构成为包括相对于相反极性的电源电压正向偏置的寄生二极管。因此，若向不考虑施加相反极性的电源电压的半导体装置施加相反极性的电源电压，则通过寄生二极管流动过大的正向电流，可能损伤构成所述半导体装置的元件。就防止因此种相反极性的电源电压的施加而引起的元件的损伤的观点而言，公开了一种保护集成电路的技术(例如，参照专利文献1)。
2、应用了专利文献1所公开的技术的保护电路具有负极-正极-负极(negative-positive-negative，npn)双极晶体管，所述npn双极晶体管包括：基极，经由电阻而与供给电源电压vcc(≠0v)的vcc端子连接；集电极，与被保护的内部电路(以下称为“保护对象”或“被保护电路”)连接；以及发射极，与供给0v的电源电压的接地(ground，gnd)端子
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【技术保护点】
1.一种保护电路，形成于在至少一部分中具有包括第一导电型的基板区域、隔离壁区域及第一导电型的阱区域的三阱结构的半导体基板，并保护被保护电路免受施加与稳定状态为相反极性的电源电压的影响，所述隔离壁区域形成于所述基板区域且在至少一部分中包括第二导电型的半导体区域，所述第一导电型的阱区域形成于被所述隔离壁区域包围的内部，所述保护电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的保护电路，其中，形成于所述阱区域中的保护晶体管的漏极与所述基板区域连接，进而与所述第二电源端子连接，另一方面，
3.根据权利要求1所述的保护电路，其中，形成于所述阱区域中的保护晶体管的...
【技术特征摘要】
1.一种保护电路，形成于在至少一部分中具有包括第一导电型的基板区域、隔离壁区域及第一导电型的阱区域的三阱结构的半导体基板，并保护被保护电路免受施加与稳定状态为相反极性的电源电压的影响，所述隔离壁区域形成于所述基板区域且在至少一部分中包括第二导电型的半导体区域，所述第一导电型的阱区域形成于被所述隔离壁区域包围的内部，所述保护电路的特征在于，
2.根据权利要求1所述的保护电路，其中，形成于所述阱区域中的保护晶体管的漏极与所述基板区域连接，进而与所述第二电源端子连接，另一方面，
3.根据权利要求1所述的保护电路，其中，形成于所述阱区域中的保护晶体管的漏极与包围所述阱区域的所述隔离壁区域连接，进而与所述第二电源端子连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的保护电路，其中，所述保护电路具有所述第二保护晶体管的栅极与所述第一保护晶体管的栅极连接而形成的共通的节点。
5.根据权利要求4所述的保护电路，还包括栅极电压控制电路，所述栅极电压控制电路具有输出一个规定电压作为所述第一控制电压及所述第二控制电压的输出端子，且连接在所述第一电源端子和所述第二保护晶体管的源极及背栅极与所...
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