基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质制造方法及图纸

提供基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质，能够提高在基板的表面上形成的膜的均匀性。包括进行如下的(a)～(d)、形成包含第一元素和第二元素的层的第一循环，(a)将具有所述第一元素的第一原料气体供给至在表面具有凹部的基板的工序，(b)将第一吸附阻碍气体供给至所述基板的工序，(c)将具有与所述第一元素不同的所述第二元素的第二原料气体供给至所述基板的工序，(d)将反应气体供给至所述基板的工序；在(a)及(b)中，形成于所述基板上的官能团阻碍所述第二原料气体向所述基板上的吸附，在(c)的至少一部分中，向吸附有所述第一原料气体及所述第一吸附阻碍气体的所述基板供给所述第二原料气体。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。

技术介绍

1、作为基板处理工序(半导体装置的制造工序)的一个工序，有时使用阻碍其他物质吸附于基板的物质，在基板的表面上形成膜(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2022-110465号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开提供一种能够提高在基板的表面上形成的膜的均匀性的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开的一个方式，提供一种技术，其具有进行如下的(a)～(d)、形成包含第一元素和第二元素的层的第一循环，(a)将具有上述第一元素的第一原料气体供给至在表面具有凹部的基板的工序，(b)将第一吸附阻碍气体供给至上述基板的工序，(c)将具有与上述第一元素不同的上述第二元素的第二原料气体供给至上述基板的工序，(d)将反应气体供给至上述基板的工序；并且，在(a)和(b)中形成于上述基板上的官能团阻碍上述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，其具有进行如下的(a)～(d)、形成包含第一元素和第二元素的层的第一循环，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，使吸附于所述凹部的深部侧的所述第二原料气体的量多于所述第一吸附阻碍气体的量。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，使所述第二原料气体的暴露量大于所述第一吸附阻碍气体的暴露量。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，使吸附于所述凹部的深部侧的所述第一吸附阻碍气体的量少于所述第一原料气体的量。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，使所述第一吸附阻碍气体的暴露量小于所述第一原料气体的暴...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理方法，其具有进行如下的(a)～(d)、形成包含第一元素和第二元素的层的第一循环，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，使吸附于所述凹部的深部侧的所述第二原料气体的量多于所述第一吸附阻碍气体的量。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，使所述第二原料气体的暴露量大于所述第一吸附阻碍气体的暴露量。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，使吸附于所述凹部的深部侧的所述第一吸附阻碍气体的量少于所述第一原料气体的量。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，使所述第一吸附阻碍气体的暴露量小于所述第一原料气体的暴露量。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第一吸附阻碍气体不包含所述第一元素。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，所述反应气体通过化学反应除去在(b)中形成于所述基板上的官能团。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，由所述第一循环形成的层中的所述第二元素的数量比所述第一元素的数量少。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，通过(a)的处理条件来控制吸附于所述基板上的所述第二原料气体的量。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：野野村一树，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：