一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，其技术方案要点是：该探测器包括衬底、通过金属膜辅助机械剥离法制备的各向异性二维材料GaTe和PdSe<subgt;2</subgt;、通过定点转移技术堆叠形成的转角异质结以及电极。制备方法包括金属膜辅助剥离法制备材料、定点转移技术形成异质结和电极制备。本发明专利技术通过优化材料制备，异质结界面洁净性和扭转角度，提高了探测器的偏振比和光电响应性能，实现了紫外‑可见光‑红外全波段范围内的偏振探测。本发明专利技术具有工艺简单、成本低、性能优异等优点，适用于偏振光电探测领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器，更具体地说，它涉及一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器及其制备方法。

技术介绍

1、偏振光电探测器在光学通信、成像、遥感等领域具有重要应用。传统偏振光电探测器基于块体材料(如硅、锗)或复杂的光学结构，存在体积大、成本高、偏振灵敏度低等问题。近年来，二维材料因其独特的电学、光学和机械性能，为高性能偏振光电探测器的开发提供了新的可能性。特别是具有低对称晶体结构的新型各向异性二维材料表现出较强的线性二向色性，能够对入射光的不同偏振方向进行灵敏感知，具备了偏振分辨的光电子器件的应用潜力。尽管研究者们针对各向异性二维材料的制备、各向异性光电性质及偏振光电探测器等方面进行了大量研究，但是基于各向异性二维异质结的制备与偏振光电子器件应用还处于研究初期，例如，基于各向异性二维光电探测器的偏振比较小、灵敏度偏低和光谱范围窄等问题，且其异质结堆叠角度对其偏振光电性能影响的内在科学问题仍未被揭示。

2、然而，相比于传统的各向同性二维材料的制备，各向异性二维gate和pdse2材料的制备难度相对较大。这是由于gate晶体结构的对称性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：包括衬底、通过金属膜辅助机械剥离法制备的各向异性二维材料GaTe和PdSe2、通过定点转移技术将GaTe和PdSe2堆叠形成的转角异质结和用于连接异质结并实现光电性能测量的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：所述衬底为硅片、二氧化硅衬底或柔性衬底。

3.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：所述各向异性二维材料GaTe和PdSe2的厚度为1-10层。

4.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维...

【技术特征摘要】

1.一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：包括衬底、通过金属膜辅助机械剥离法制备的各向异性二维材料gate和pdse2、通过定点转移技术将gate和pdse2堆叠形成的转角异质结和用于连接异质结并实现光电性能测量的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：所述衬底为硅片、二氧化硅衬底或柔性衬底。

3.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：所述各向异性二维材料gate和pdse2的厚度为1-10层。

4.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二维材料的异质结偏振光电探测器，其特征是：所述转角异质结的转角范围为0°-60°。

5.根据权利要求1所述的一种基于各向异性二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明强，毕津顺，肖文君，艾尔肯·阿不都瓦衣提，刘雪飞，王刚，王德贵，吴艳，王珍，高昌松，
申请(专利权)人：贵州师范大学，
类型：发明
国别省市：