一种宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷制备技术领域，陶瓷材料由Bi(Li<subgt;0.5</subgt;Nb<subgt;0.5</subgt;)(BLN)和Cu共掺杂KNN基介质陶瓷得到，陶瓷材料分子式为(1‑y)K<subgt;0.5</subgt;Na<subgt;0.5</subgt;Nb·Cu<subgt;x</subgt;O<subgt;3</subgt;·yBi(Li<subgt;0.5</subgt;Nb<subgt;0.5</subgt;)O<subgt;3</subgt;，0<x≤0.03，0.125≤y≤0.375。采用本发明专利技术的方法制备了具有宽温度、稳定且能够采用中温进行烧结的优点的KNN基介质陶瓷材料。该陶瓷材料在保证较高介电常数(ε<subgt;25℃</subgt;＝2000)的同时，在宽温度下有着极佳的稳定性。可在温度1060℃即可烧结得到致密的陶瓷基体，对于多层陶瓷电容器的应用，低温烧结可显著降低成本。CuO的掺杂提高了该陶瓷体系的介电常数，抑制KNN基陶瓷的吸水性，采用埋粉烧结改善了陶瓷片烧结后翘曲变形，提升了工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷制备，具体涉及一种宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc)以其微型化、高电容、高精度等特点被广泛应用于各种电子器件中。随着电子信息产业的快速发展，多层陶瓷电容器的实际工作温区不断扩展，已达到200℃甚至300℃。因此，开发具有高介电常数和宽温度稳定型的多层陶瓷电容器具有重要意义。许多研究的方向都集中在钛酸钡(bt)基陶瓷上，batio3化合物是一种在居里温度附近具有高介电常数的铁电材料，但其居里温度较低(约130℃)，因此难以在高温环境下工作的同时保证较高的介电常数，从而bt基介质陶瓷难以实现宽温度范围的应用。

2、铌酸钾钠(knn)基陶瓷是一种由反铁电体nanbo3和铁电体knbo3固溶而成的具有钙钛矿结构的铁电材料。knn基陶瓷具有较高的压电常数，且机电耦合性能高，因此knn基陶瓷多作为储能材料应用于压电陶瓷领域，少有研究关注其介电特性。knn基陶瓷的居里温度高(约为420℃)，介电损耗小且烧结温度较低，具有开发宽温度稳定型介质陶瓷材料的潜力。但是它也有一系列的缺点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料由Bi(Li0.5Nb0.5)(BLN)和Cu共掺杂KNN基介质陶瓷得到，陶瓷材料分子式为(1-y)(K0.5Na0.5Nb1-0.4xCuxO3)·y(Bi(Li0.5Nb0.5)O3)，0<x≤0.03，0.125≤y≤0.375。

2.根据权利要求1所述的宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料采用中温1030～1070℃烧结，室温下的介电常数为1500～2010，介电损耗小于2％；在-60～300℃温度内，容温变化率不大于15％。

<p>3.一种权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料由bi(li0.5nb0.5)(bln)和cu共掺杂knn基介质陶瓷得到，陶瓷材料分子式为(1-y)(k0.5na0.5nb1-0.4xcuxo3)·y(bi(li0.5nb0.5)o3)，0<x≤0.03，0.125≤y≤0.375。

2.根据权利要求1所述的宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料采用中温1030～1070℃烧结，室温下的介电常数为1500～2010，介电损耗小于2％；在-60～300℃温度内，容温变化率不大于15％。

3.一种权利要求1所述的宽温度稳定型中温烧结铌酸钾钠基介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述k2co3，na2co3，li2co3，nb2o5，bi2o3和cuo的摩尔比为1∶1∶0.14～0.6∶2.14～2.58∶0.29～1.2∶0.01～0.12。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张春艳，周洪宇，孟范成，田中青，王飞，
申请(专利权)人：重庆理工大学，
类型：发明
国别省市：