用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶及制备方法；该导热UV胶按照重量百分比包括如下组分：聚氨酯丙烯酸树脂、活性稀释单体、光引发剂、金刚石镀铜粉末、助剂。该导热UV胶用于对GaN高电子迁移率晶体管器件的金刚石衬底与GaN外延材料进行粘接，其能够克服金刚石难粘接的难题，有效地对金刚石进行粘接，粘接牢固，粘接效果持久，且导热性能卓越，热膨胀系数极低，耐高温耐候性优秀，性质稳定，固化所需操作简便易行，成本可控，远远低于传统的结合方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导热材料，具体涉及一种用于gan高电子迁移率晶体管的导热uv胶及制备方法。

技术介绍

1、gan高电子迁移率晶体管(hemt)因其击穿场强高、转换效率高、导通电阻低等优势，已经成功应用于高频、高温大功率电子器件。然而，在小型化、大功率的发展趋势下，gan微波功率器件的可靠性和稳定性面临严重挑战。随着gan基功率器件功率密度的增加，芯片有源区的热积累效应迅速增强，导致其各项性能指标严重恶化，使其功率优势不能充分发挥。因此，散热问题成为制约gan功率器件进一步发展和广泛应用的主要技术瓶颈之一。采用高导热率的金刚石作为gan功率器件的衬底或热沉可显著提升功率器件的散热能力，实现高频、高功率应用。目前行业内有三种方式可以实现金刚石衬底与gan外延材料的结合。第一种是在金刚石衬底上直接外延生长gan；这种方法生长难度大，电学性能差，需要在外延生长和最后的冷却过程中实现更为精细的界面控制和应力管理。第二种是在gan600hemt结构上生长金刚石；一般采用高于600℃的化学气相沉积(cvd)技术在sinx等籽晶层上生长，这种方法可能导致影响金刚石材料质量的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶，其特征在于，其按照重量百分比包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的一种用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶，其特征在于，所述聚氨酯丙烯酸树脂为聚醚改性的聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯改性的聚氨酯丙烯酸树脂，聚碳改性的聚氨酯丙烯酸树脂中的一种或两种以上的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶，其特征在于，所述活性稀释单体为丙烯酸异冰片酯、四氢呋喃丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酰吗啉、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯中的一种或两种的混合物...

【技术特征摘要】

1.一种用于gan高电子迁移率晶体管的导热uv胶，其特征在于，其按照重量百分比包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的一种用于gan高电子迁移率晶体管的导热uv胶，其特征在于，所述聚氨酯丙烯酸树脂为聚醚改性的聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯改性的聚氨酯丙烯酸树脂，聚碳改性的聚氨酯丙烯酸树脂中的一种或两种以上的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种用于gan高电子迁移率晶体管的导热uv胶，其特征在于，所述活性稀释单体为丙烯酸异冰片酯、四氢呋喃丙烯酸酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酰吗啉、环三羟甲基丙烷甲缩醛丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯中的一种或两种的混合物。

4.根据权利要求1所述的一种用于gan高电子迁移率晶体管的导热uv胶，其特征在于，所述光引发剂为2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮中的一种或两种以上的混合物。

5.根据权利要求1所述的一种用于gan高电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：张翔琪，宁高敏，
申请(专利权)人：苏州世名科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：