磁性膜和磁场传感器头制造技术

一种磁传感器头，具有：光纤；GI光纤，其一端光学连接至所述光纤；磁性膜，其接合在所述GI光纤的另一端；以及反射膜，其接合在所述磁性膜的与所述GI光纤的接合面相反的一面，所述磁性膜由稀土铁石榴石薄膜形成，所述稀土铁石榴石薄膜的差分平方和相对于外加磁场的斜率在100以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种磁场传感器头和磁性膜。

技术介绍

1、已知一种磁场传感器，其具有保偏光纤(polarization maintaining fiber：pmf)和使用稀土铁石榴石作为磁性膜的磁场传感器头(例如，国际公开第2022/107431号)。

2、在上述磁场传感器中，由于稀土铁石榴石的条状磁畴的大小与pmf的纤芯直径(10μm)接近，因此通过gi(graded-index，渐变折射率)光纤将pmf和磁场传感器头结合。通过这种结构，从pmf出射的光束可以在gi光纤中将光束直径扩大到20μm来照射稀土铁石榴石，从而可以捕捉磁畴反转。

技术实现思路

1、但是，由于稀土铁石榴石的条状磁畴的大小根据石榴石晶体的结构而不同，因此如果不适当地匹配石榴石晶体和从pmf出射的光束的光束直径，则无法进行良好的测量。

2、本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够进行良好的测量的磁场传感器头和磁性膜。

3、本公开实施方式的磁传感器头包括：光纤；一端光学连接至所述光纤的gi光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁传感器头，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的磁传感器头，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器头，其特征在于，

4.一种磁性膜，其用于磁传感器头，该磁传感器头包括：光纤、一端光学连接至所述光纤的GI光纤、以及反射膜，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种磁传感器头，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的磁传感器头，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的磁传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：须江聪，宫本光教，久保利哉，飨场哲也，佐藤敏郎，曾根原诚，
申请(专利权)人：西铁城精密器件株式会社，
类型：发明
国别省市：