半导体装置及半导体模块制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够防止不良芯片流出的半导体装置及半导体模块。在半导体芯片的正面，源极焊盘、栅极焊盘和测量焊盘分别在钝化膜的不同的开口部露出。在比较靠近源极焊盘和栅极焊盘的位置配置有测量焊盘，源极焊盘的一部分夹设在栅极焊盘与测量焊盘之间。在组装半导体模块时，在将外部输出用布线与栅极焊盘进行焊料接合时，在因从栅极焊盘上流出到钝化膜的表面上的焊料而导致栅极焊盘与测量焊盘短路时，由于栅极焊盘与源极焊盘短路，因此能够检测出栅极焊盘与测量焊盘之间的短路。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置及半导体模块。

技术介绍

1、在专利文献1中记载了如下技术：通过栅极电阻值测量用的电极焊盘（以下，称为测量焊盘）测量由串联连接在栅极焊盘与测量焊盘之间的栅极多晶硅（poly-si）层的内部电阻所确定的栅极电阻的电阻值。在专利文献2中记载了如下技术：仅在源极焊盘上的一部分以及测量焊盘上设置有用于使检查装置的探针接触的镀覆膜。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-47675号公报

5、专利文献2：日本特开2022-44998号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在上述专利文献1、2中，在半导体模块的组装工序中将引线等外部输出用布线焊料接合于栅极焊盘时，栅极焊盘与测量焊盘因润湿扩展了的焊料而短路，栅极电阻的电阻值有可能变化。由于没有检测栅极焊盘和测量焊盘成为相同电位的半导体芯片（以下，称为不良芯片）的方法，因此，产品（半导体模块）会在安装有不良芯片的状态下流出。

3、本公开的目的在于，提供能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村启树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：