ALD阀的正常工作测试装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种ALD阀的正常工作测试装置及其方法。根据本发明专利技术的一实施例的电子装置可以包括存储器(memory)和与所述存储器连接的处理器(processor)，所述处理器向与控制ALD阀的工作的致动器连接而控制流体的供应的第一阀门发送表示将所述流体供应到所述致动器的流体供应信号，确认发送所述流体供应信号的第一时间，并且从测量所述致动器的内部的流量的第一传感器接收关于致动器的内部的流量随着所述流体供应信号而变化的第二时间的信息，基于表示所述第一时间和所述第二时间的差异的第三时间来判断信号传递稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种ald阀的正常工作测试装置及其方法。

技术介绍

1、在本说明书中，除非另有说明，在这个模块中说明的内容不是关于本申请的技术方案的现有技术，即便包含在该模块中，也并不意味着被认定为现有技术。

2、ald(atomic layer deposition)是一种原子层沉积技术，是指用于制造半导体元件的方法。至今，在制造半导体元件时，使用了pvd或cvd技术，但这些现有技术在制造线宽为90nm以下的纳米级超高集成元件方面存在局限性，因此ald作为一种制造半导体元件所必备的技术而受到关注。

3、由于ald的成功与否取决于控制原材料的供应的阀门的性能，因此对阀门的适当控制和管理尤为重要。

4、为此，在本专利技术中，提供一种能够测试用于ald的ald阀的正常工作的技术。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：韩国授权专利第10-2166660号(2020.10.12)

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种电子装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电子装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈光铉，
申请(专利权)人：株式会社迪艾斯亿科技，
类型：发明
国别省市：