【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术(根据本公开的技术)涉及一种光学检测装置和电子设备，尤其涉及一种在应用于具有三维结构的光学检测装置以及包括该光学检测装置的电子设备时有效的技术。
技术介绍
1、诸如固态成像装置和测距装置等光学检测装置包括将光光电转换为信号电荷的光电转换单元、传输由该光电转换单元光电转换的信号电荷的传输晶体管以及保持由该传输晶体管传输的信号电荷的电荷保持单元。另外，上述光电转换单元、传输晶体管和电荷保持单元设置在半导体层的光电转换区域中。电荷保持单元由用作fd电容(浮动扩散电容：floating diffusion capacitance)的浮动扩散区域构成。
2、专利文献1公开了一种垂直层叠型图像传感器，其包括彼此层叠的光电二极管芯片170和晶体管阵列芯片172。此外，专利文献1公开了一种传输晶体管，其包括设置在光电二极管154上的半导体传输沟道180、隔着氧化物182设置在上述半导体传输沟道180周围的传输栅极158以及设置在半导体传输沟道180中的漏极区域183。
3、[引文列表]
4、[专利文献]
...【技术保护点】
1.一种光学检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述接触电极包括半导体，所述半导体的在与所述光电转换区域侧相反的一侧的杂质浓度高于所述光电转换区域侧的杂质浓度。
3.根据权利要求2所述的光学检测装置，其中，所述半导体包括单晶体。
4.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述接触电极的在与所述光电转换区域侧相反的一侧的宽度大于在所述光电转换区域侧的宽度。
5.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述传输晶体管的所述栅电极包括在平面图中与所述接触电极相邻的至少一条边。
6.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光学检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述接触电极包括半导体，所述半导体的在与所述光电转换区域侧相反的一侧的杂质浓度高于所述光电转换区域侧的杂质浓度。
3.根据权利要求2所述的光学检测装置，其中，所述半导体包括单晶体。
4.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述接触电极的在与所述光电转换区域侧相反的一侧的宽度大于在所述光电转换区域侧的宽度。
5.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述传输晶体管的所述栅电极包括在平面图中与所述接触电极相邻的至少一条边。
6.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述栅电极从所述第一半导体层向上突出。
7.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，在平面图中，所述接触电极针对隔着所述隔离区域彼此相邻的多个所述光电转换区域中的每个光电转换区域进行设置。
8.根据权利要求1所述的光学检测装置，其中，所述接触电极由在平面图中隔着所述隔离区域彼此相邻的多个所述光电转换区域共享。
9.根据权利要求1所述的光学检测装置，将所述半导体层作为第一半导体层，所述光学检测装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野峻，田舍中博士，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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