【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种显示面板。
技术介绍
1、micro-led(micro-light emitting diode,微型半导体芯片)显示是将传统led(light emitting diode,发光二极管)微缩化后形成微米级间距led阵列以达到超高密度像素分辨率。micro-led显示具备自主发光的特性,相比oled(organicelectroluminescence display,有机发光半导体)和lcd(liquid crystal display,液晶显示器)显示,micro-led显示色彩更容易准确的调试,有更长的发光寿命和更高的亮度,同时更具轻薄及省电优势。由于其高密度小尺寸超多像素的特点,micro-led显示将成为以高真实度,互动和个性化显示为主要特点的第三代显示技术的引领者。
2、目前,micro-led显示面板的彩色化显示一般通过金属有机化学气相沉积(mocvd)在gan基底上进行外延生长,再通过芯片焊接、晶片焊接或薄膜转移等方式键接在驱动电路基板上形成显示像素。在彩色化技术方面,可以
...【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层的厚度小于所述第三布拉格反射层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层和/或所述第三布拉格反射层为渐变式布拉格反射器结构。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层和/或所述第三布拉格反射层包括交替设置的氮化铝以及氮化镓。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述渐变式布拉格反射器结构为所述氮化铝厚度所述氮化镓的厚度呈现线性渐变或抛物线渐变。
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层的厚度小于所述第三布拉格反射层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层和/或所述第三布拉格反射层为渐变式布拉格反射器结构。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一布拉格反射层和/或所述第三布拉格反射层包括交替设置的氮化铝以及氮化镓。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述渐变式布拉格反射器结构为所述氮化铝厚度所述氮化镓的厚度呈现线性渐变或抛物线渐变。
6.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二布拉格反射层和/或所述第四布拉格反射层包括交替设置的三氧化二钛以及二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一蓝色发光层包括n型掺杂层、蓝色量子阱层、p型掺杂层,所述n型掺杂层设置在所述第一布拉格反射层远离所述衬底的一侧,所述蓝色量子阱层设置在所述n型掺杂层远离所述第一布拉格反射层的一侧,所述p型掺杂层设置在所述蓝色量子阱层远离所述n型掺杂层的一侧。
8.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘卫来,孙亮,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。