一种覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具制造技术

本技术提供了一种覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，所述插片治具包括支撑架主体；所述支撑架主体包括由支撑杆构成的长方体状铜片插放空间；所述铜片插放空间的侧面中部设置有支撑杆；所述侧面中部的支撑杆分别与所在侧面上沿的支撑杆平行；所述铜片插放空间的顶部和中部均对称设置有锯齿状限位条；所述限位条沿铜片排列的方向布置；所述限位条的锯齿面相对于水平面向上倾斜；所述铜片插放空间的底面沿与所述限位条平行的方向设置有支撑杆。本技术提供的插片治具用于铜片湿法氧化工艺，能够促进铜片均匀氧化，避免铜片间的碰撞、粘连等情况，提高产品的良率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件加工，具体涉及一种覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具。

技术介绍

1、覆铜陶瓷基板(dbc，direct bond copper)是一种高性能的电子封装材料，具有高导热性、高电绝缘性、高机械强度以及热膨胀系数与硅接近等特点，广泛应用于功率模块、大功率半导体器件等领域。dbc基板的制作工艺主要是在高温下将铜片直接烧结到陶瓷表面，利用铜的含氧共晶液与陶瓷基板发生化学反应，形成共晶结合。在铜片烧结之前，通常需要将铜片进行预氧化，使得在高温下铜与氧形成cu-o共晶液，从而有助于提升铜片与陶瓷基板之间的结合力。

2、目前，为了提升铜片预氧化的生产效率和可靠性，现有工业生产中逐步引入湿法氧化的方式，首先对铜片依次进行酸洗和水洗，然后将铜片浸入氧化溶液中(例如含有高锰酸钾和硫酸铜的混合溶液)进行氧化，然后依次经过水洗、脱水和烘干，完成氧化过程。其中，铜片需要采用相应的插片治具，将其浸入氧化溶液中，使铜片与药液充分接触，但是，现有铜片湿法氧化的生产工艺中，主要存在以下问题：(1)现有铜片插片治具与铜片的接触部间隔较小(一般仅为3-4mm)，并且接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述插片治具包括支撑架主体；

2.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述支撑杆的形状为圆柱形。

3.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述铜片插放空间的底面设置有至少2根支撑杆。

4.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述限位条的锯齿面相对于水平面向上倾斜的角度为30°-50°。

5.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述限位条的端部与一组相互垂直连接的支撑杆分别连接。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述插片治具包括支撑架主体；

2.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述支撑杆的形状为圆柱形。

3.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述铜片插放空间的底面设置有至少2根支撑杆。

4.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述限位条的锯齿面相对于水平面向上倾斜的角度为30°-50°。

5.根据权利要求1所述覆铜陶瓷基板用铜片的插片治具，其特征在于，所述限位条的端部与一组相互垂直连接的支撑杆分别连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：邢忠，衡冬杰，俞晓东，姚力军，边逸军，张辉然，
申请(专利权)人：宁波江丰同芯半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：