【技术实现步骤摘要】
一个或多个实施方式涉及显示设备和制造该显示设备的方法。
技术介绍
1、显示设备可视地显示数据。最近，显示设备的用途已经多样化。另外，随着显示设备已经变得更薄和更轻，它们的使用范围得到了扩大。
2、为了实现薄且轻的显示设备，显示设备可配置为包括使用薄膜封装层而不使用包括玻璃材料的封装基板来封装的发射区域。薄膜封装层可配置为防止杂质(比如氧气或水分)渗透进入发光元件，并且通过覆盖显示设备的显示区域来使显示区域的上表面平坦化。
技术实现思路
1、一个或多个实施方式包括薄且轻的显示设备。然而，这样的技术目标仅为示例，并且本公开不限于此。
2、另外的方面将部分在随后的描述中陈述并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
3、根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板；设置在基板上的发光元件；以及覆盖发光元件并且包括第一无机薄膜封装层、第二无机薄膜封装层和混合层的封装层，其中第二无机薄膜封装层设置在第一无机薄膜封装层上并且具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度，并且混合层设置在第二无机薄膜封装层上并包括硅元素和碳元素并且进一步包括氮元素和/或氧元素。
4、第一无机薄膜封装层的厚度可小于第二无机薄膜封装层的厚度。
5、混合层可具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度。
6、第一无机薄膜封装层和第二无机薄膜封装层中的每一个可包括硅元素和氮元素。
7、第一无机薄膜封装层中的氮
8、第一无机薄膜封装层的膜密度可在约2.70克每立方厘米(g/cm3)至约4.00g/cm3的范围内。
9、第二无机薄膜封装层的膜密度可在约1.70g/cm3至约2.10g/cm3的范围内。
10、第一无机薄膜封装层的折射率可大于第二无机薄膜封装层的折射率。
11、封装层可进一步包括设置在混合层上的第三无机薄膜封装层。
12、第三无机薄膜封装层的膜密度可大于第二无机薄膜封装层的膜密度。
13、混合层可包括碳氮化硅(sicxny)、碳氧化硅(sioxcy)和碳氮氧化硅(sioxcynz)中的至少一种。
14、根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板；设置在基板上的发光元件；以及覆盖发光元件的封装层，其中封装层包括：设置在封装层的最下部分中的第一无机薄膜封装层；直接设置在第一无机薄膜封装层上并且具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度的第二无机薄膜封装层；以及设置在第二无机薄膜封装层上并且具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度的混合层。
15、混合层可包括硅元素和碳元素并且可进一步包括氮元素和/或氧元素。
16、第一无机薄膜封装层的厚度可小于第二无机薄膜封装层的厚度。
17、根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在基板上形成发光元件；在发光元件上形成第一无机薄膜封装层；在第一无机薄膜封装层上形成具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度的第二无机薄膜封装层；以及在第二无机薄膜封装层上形成包括硅元素和碳元素并且进一步包括氮元素和/或氧元素的混合层。
18、第一无机薄膜封装层的沉积速率可小于第二无机薄膜封装层的沉积速率。
19、第一无机薄膜封装层的厚度可小于第二无机薄膜封装层的厚度。
20、混合层可具有小于第一无机薄膜封装层的膜密度的膜密度。
21、形成第一无机薄膜封装层可包括使用原子层沉积法。
22、形成混合层可包括使用含有具有n-si键的化合物和具有o-si键的化合物中的至少一种的前体。
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1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的厚度小于所述第二无机薄膜封装层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述混合层具有小于所述第一无机薄膜封装层的所述膜密度的膜密度。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层和所述第二无机薄膜封装层中的每一个包括硅元素和氮元素。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层中的所述氮元素与所述硅元素的比例小于所述第二无机薄膜封装层中的所述氮元素与所述硅元素的比例。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的所述膜密度在2.70g/cm3至4.00g/cm3的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二无机薄膜封装层的所述膜密度在1.70g/cm3至2.10g/cm3的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的折射率大于所述第二无机薄膜封装层的折射率。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述封
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中所述第三无机薄膜封装层的膜密度大于所述第二无机薄膜封装层的所述膜密度。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述混合层包括碳氮化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的至少一种。
12.一种显示设备，包括：
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中所述混合层包括硅元素和碳元素并且进一步包括氮元素和/或氧元素。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的厚度小于所述第二无机薄膜封装层的厚度。
15.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一无机薄膜封装层的沉积速率小于所述第二无机薄膜封装层的沉积速率。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一无机薄膜封装层的厚度小于所述第二无机薄膜封装层的厚度。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述混合层具有小于所述第一无机薄膜封装层的所述膜密度的膜密度。
19.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述第一无机薄膜封装层包括使用原子层沉积法。
20.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述混合层包括使用含有具有N-Si键的化合物和具有O-Si键的化合物中的至少一种的前体。
...【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的厚度小于所述第二无机薄膜封装层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述混合层具有小于所述第一无机薄膜封装层的所述膜密度的膜密度。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层和所述第二无机薄膜封装层中的每一个包括硅元素和氮元素。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层中的所述氮元素与所述硅元素的比例小于所述第二无机薄膜封装层中的所述氮元素与所述硅元素的比例。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的所述膜密度在2.70g/cm3至4.00g/cm3的范围内。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二无机薄膜封装层的所述膜密度在1.70g/cm3至2.10g/cm3的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一无机薄膜封装层的折射率大于所述第二无机薄膜封装层的折射率。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述封装层进一步包括设置在所述混合层上的第三无机薄膜封装层。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹现燮，金钟祐，吴昭令，郑雨锡，河载兴，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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